Radioelektronika asoslari

J-jadval-

Jfe	(V)	4v ri (nvi)	CAcskari (K)	^tcEkaxi

-jadval natijalari asosida diodning volt-amper xarakteristikasi

chizilsin. Undan diodning ichki qarshiligi R, =^~ va to‘g‘riIash
AI
k
^to'g'ri
Aeskari


topilsin.


oeChtsienti K =

3. 
   nuishql Nagruzka kuchlanishining to‘g‘rilangan tokka bog‘liqligini aniqlash.
   

1. 
   To‘g‘rilagichniiig 8-rasmda keltirilgan ko‘prik sxemasi yig'ilsin.
   
2. 
   Nagruzka qarshiirgini 100 Om dan 2000 Om gacha o‘zgartirib to‘g‘riiangan tok (7₀>_n) va nagruzkadagi kuchlanish (U_n) o'lchansin.
   

0‘lchash natijalari 2-jadvaIgajoylashtirilsin.

2-jadval,

Jtt	Rn(Om)	(^)	_ Ur(V)
		.

3. 
   J
   advalnatijalari asosida U„ ~ f(f_ori) bogManishgrafigi chizilsin va undan to‘g‘riiagichniTig qarshiligi topilsin.
   

Eslaftm: To‘g‘riIagichning qarshiligi t/* =/(/y*) bog‘l&nish grafigining to‘g‘ri chiziqli qismidan aniqlanadi.
ft-masftq. fc'estsA fiurcAagmt' am'qfitsA

1. 
   Ill-mashqda qo‘ ttanilgan sxemadagi voltmetr nagruzka
   

klemmaiaridan S kondensator tdemmalariga ko‘chirit ulansin (9-rasm).

2. 
   N
   agruzkaqarshiligt lil-tnashqdagi qiymatlar oralig'ida o‘zgartiriiib, /„‘_rt va [/„■„ kattaliklar o'lchansin.
   

0‘lchash natijalari 3-jadvalga joylashtirilsin.

Xa	KiOm)	^d'itBclu (^)	(K)	tgd-8	9

1. 2^

3. 
   -^~-—{tg0-9) formuladaii tg6-9 hisoblansin. UndaS-diod ^o'n %
   

xarakteristikasining qiyalik koeffitsienti.

4. 
   Maxsus jadval (1-ilova) dan foydalanib ig$-9 qiymatlariga mos 9 burchaklar aniqlanstn va 0 - f (7₀._rt) bog‘lanish grafigi chiziisin.
   

V - mashq. Sodda tekisiovchi flltrning ishini o‘rganish ;

1. 
   0‘qituvchi ko‘rsatmasiga binoan to‘g‘rilagichning filtrsiz sxemasi yig‘ilsin.
   
2. 
   To‘g‘rilagichning nagruzka qarshiligiga paral 1 el qilib elektron ossillograf ulansin.
   
3. 
   Ossillograf ekranida tok impulsiga mos kuchlanish tasviri hosil qilinsin va chizib olinsin.
   
4. 
   Nagruzka qarshiligiga parallel qilib sig'imi 5^50mkF bo'lgan kondensator ulansin.
   
5. 
   Ossillograf ckranida kondensator qiymatiga mos kuchlanish tasviri hosif qilinsin va chizib olinsin.
   
6. 
   4- va 5- punktlar nagruzka qarshiligining turli qiymatlari uchun takrorlansin.
   

Eslatma: 3~ va 5- punktlarda hosil qilingan ossillogrammalar yagona grafikda tasvirlanadi.

I-ilova.

tgQ-8	e			!g0-0	e			tgG-8		6
	rad.	grad.	rad.		grad.			rad.		grad.
0,00001	0,03	1,72	0,00755		0,28	16,04	0,05592		0,53		30,37
0,00002	0,04	2,29	0,00841		0,29	16,62	0,05943		0,54		30,94
0,00004	0,05	2,86	0,00934		0,30	17,19	0,06311		0,55		31,5)
0,00007	0,06	3,44	0,01033		0,31	17,76	0,06695		0,56		32,09
0,00011	0,07	4,01	0,01139		0,32	18,33	0,07097		0,57		32,66 1
0,00017	0,08	4,58	0,01252		0,33	18,91	0,07517		0,58		33,23
0,00024	0,09	5,16	0,01385		0,34	19,48	0,07944		0,59		33,80
0,00033	0,10	5,73	0,01503		0,35	20,05	0,08408		0,60		34,34
0,00045	0,11	6,30	0,01640		0,36	20,63	0,08892		0,61		34,95
0,00058	0,12	6,38	0,01786		0,37	21,20	0,09391		0,62		35,42
0,00074	0,13	7,45	0,01941		0,38	21,77	0,09911		0,63		36,10
0,00114	0,15	8,59	0,02279		0,40	22,92	0,11020		0,65		37,24
0,00138	0,16	9,17	0,02463		0,41	23,49	0,11610		0,66		37,82
0,00166	0,17	9,74	0,02657		0,42	24,06	0,12225		0,67		38,39
0,00197	0,18	10,31	0,02862		0,43	24,64	0,12866		0,68		38,96
0,00232	0,19	10,89	0,03078		0,44	25,21	0,13534		0,69		39,53
0,00271	0,20	11,46	0,03306		0,45	25,78	0,14229		0,70		40,11
0,00314	0,21	12,03	0,03545		0,46	26,36	0,14953		0,71		40,68
0,00362	0,22	12,61	0,03797		0,47	l~26,93	0,15707		0,72		41,25
0,00414	0,23	13,18	0,04061		0,48	27,50	0,16492		0,73		41,83
0,00472	0,24	13,75	0,04339		0,49	28,07	0,17302		0,74		42,40
0,00534	0,25	14,31	0,04680		0,50	28,65	0,18160		0,75		42,97
0,00602	0,26	14,88	0,04931		0,51	29,22	0,18896		0,76		43,50
0,00676	0,27	15,47	0,05256		0,52	29,79	0,19963		0,77		44,12

2. 
   ISH.
   

BIPOLYARTRAN21STORNING ISHLASHINI 0‘RGANISH
Ishning maqsadi: Bipolyar tamzistoming ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikaliirlni o‘rganish, umumiy emittcrli sxema asosida ulangan tranzistoming statistik xarakteristikalarini olish, oltngan xarakteristikalar bo‘yich& tranzistoming kuchaytirishini xarakterlovchi parametrlami va uning/f-parametrlarini hisoblash.
Ishning nazariy asoslari:
t. Yarim o'tkazgichlar. P-n o‘tish hodisasi. Yarimo‘tkazgichti diod.

2. 
   Tranzistor va uning ish rejimlari.
   
3. 
   Bipolyar tranzistonting ishlash prinsipi nirnaga asoslangan?
   
4. 
   Bipolyar tranzistor kollektor, emitter va hazalarining vazifasi.
   
5. 
   Tranzistoming ishlash prinsipini tushuntiring:
   

• 
  emittei¹ o'tishida ro‘y heradigan fizik hodisaiar va undagi toklami;
  
• 
  baza sohasida bo'iadigan fizik jarayonlari va undagi toklami;
  
• 
  koilektor o'tishida boiadigan fizik hodisalar va undagi toklami tushuntiring.
  

2. 
   Kollektor tokini efl'ektiv boshqarish udiun tranzistorga qo'yiladigan talablami tushumiring.
   

T.Tranz'iSlom'ing sxemagau'lan'is'h turiar'i va uYammg'iinYasYii.
8. Tranzistomiog statik va dinamik xarakieristikalarini tushuntiring.
q i'ranzistoming /i-parametrlarining ma’nosi va ulami hisoblash metodikasi.
Qisqacha nazariya Bipolyar tranzistor
Tranzistor so‘zi ingiizcha transfer - o'zgartiruvchi, hamda, resistor - qarshilik so‘zlari birikmasidan hosil boMgan. Tranzistor elektr tokini o'zgartirish xususiyatiga ega bo'Igan yarirnohkazgichli asbob bo'lib, quwatni kuchaytirish uchun ishlatiladi va u uchta qutbga ega bo'ladi.
Tranzistorlar ikki turli bo'ladi: bipolyar tranzistorlar, maydonli (unipolyar) tranzistorlar.
Bipolyar tranzistor deb o'zaro taYiriasliuvchi ikkita p-n o'tish va uchta elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega boTgan yarim 0‘tkazgich asbobga aytiladi, Tranzistordan tok o'tishi ikki turdagi zaryad tashuvchitar - elektron va kovaklaming harakatiga asoslangan. Bipolyar tranzistor asosty
z
5



aryad tashuvchilariga ko‘ra kovak (p-n-p) va elektron (n-p-n) o'tkazuvchanlikka ega bo‘lgan turiarga ajratiiadi. Bipolyar tranzistorlarning tarkibiy sxemasi va shartli belgilanishi quyidagi 1-rasmda keltirilgan.
Tranzistoming chekka sohasi emitter (E) deb ataladi va u zaryad tashuvchilami baza (B) deb ataluvchi o‘rta sohaga injeksiyalaydi. Ityeksiya hodisasi asosiy zaryad tashuvchilaming o‘zi uchun asosiy bo‘Imagan sohaga o'tkazilishida kuzatiiadi. Keyingi chekka soha katiekiar (X) dcb ataladi. U zaryad tashuvchilami baza sohasidan ekstraksiyalash (maydon ta'sirida tortib olish) uchun xizmat qiladi. Emitter va baza oralig'idagi o‘tish emitter o'tish, kollcktor va baza oraiig'idagi o‘tish esa - kollektor o'tish deh ataladi. Shartli belgilanishdagi strelka emitter o‘tish sohasiga to‘g‘ri kuchianish beriiganda emitter zanjiridagi tokning shartli yo‘nalishini koTsatadi.
Tranzistor sohalaridagi toklar i_a /j,, sohalar orasidagi kuchlanishlar esa [4b, f/ks koTinishda belgilash qabul qilingan.
0‘tish sohalariga beriladigan tashqi kuchlanishlarga qarab bipolyar tranzistorlar asosan to'rt xil ish rejimida ishlashi mumkin:

•