İxtisas: Elektrik və elektronika mühəndisliyi Qrup: 222A5 Fənn: Analoq Elektronikası

Bipolyar tranzistorların qoşulma sxemləri və əsas parametrləri
Bipolyar tranzistorun üç çıxışı olmağına baxmayaraq tranzistorlü sxemlərdə onlar adətən 2 dövrəyə: giriş və çıxış dövrələrinə qoşulur. Hər dövrəyə tranzistorun 2 çıxışı (elektrodu) birləşdirildiyindən, çıxışlardan biri həm giriş, həm də çıxış dövrəsi üçün eyni (ümumi) olur. Bu baxımdan tranzistor dövrəyə qoşulmasının 3 növü fərqləndirilir: ümumi bazalı (ÜB), ümumi emitterli (ÜE) və ümumi kollektorlu (ÜK) p-n-p tipli tranzistor üçün hər üç qoşulma sxemi şək.3.2.1 -də göstərilmişdir.
a) b) c)
Şəkil 3.2.1
ÜB sxemində emitter dövrəsi giriş, kollektor dövrəsi çıxış dövrəsidir. ÜE sxemində baza dövrəsi giriş, kollektolr dövrəsi çıxış dövrəsi sayılır. ÜK sxemində baza giriş, emitter isə çıxış dövrələridir. Çıxış dövrəsində yük müqaviməti olduqda ÜB sxemində gücə və gərginliyə görə gücləndirmə almaq olur; bu halda cərəyana görə güclənmə yoxdur. ÜE sxemində hər üç parametrə görə güclənmə var. ÜK sxemində gücə və cərəyana görə güclənmə mövcuddur. Texnikada ən çox ÜE qoşulma sxemindən istifadə olunur. Ümumi bazalı sxem. ÜB sxemi xarakterizə edən əsas parametrləri alaq:
1. Cərəyan üzrə ötürmə əmsalı (cərəyan üzrə gücləndirmə əmsalı):
2. Giriş müqaviməti:
Buradan görünür ki, ÜB sxemdə giriş müqaviməti çox kiçik olur və əsasən düzünə qoşulmuş emitter p-n- keçidinin müqaviməti ilə təyin olunur. Praktikada bu rəqəm onlarla Oma qədər olur. Bu ÜB sxemi çatışmamazlığıdır, çünki giriş siqnalı mənbəyinin yüklənməsinə səbəb olur.
Bu parmetr kifayət qədər böyük ola bilər (onlarla və yüzlərlə), çünki əsasən yük və giriş müqavimətlərinin nisbətləri ilə xarakterizə olunur.
Unipolyar tranzistorlar (sahə tranzistorları)
Unipolyar tranzistorların quruluşu və iş prinsipi Yarımkeçirici təbəqədən axan cərəyanı ona perpendikulyar istiqamətdə yönəlmiş elektrik sahəsi ilə idarə etməyə imkan verən yarımkeçirici cihazlar sahə tranzistorları adlanır. Belə tranzistorların işində yalnız bir işarəli yükdaşıyıcılar (elektronlar, yaxud deşiklər) iştirak etdiyindən , bəzən sahə tranzistorlarına unipolyar tranzistorlar da deyilir. Aralarından cərəyan axan elektrodlar giriş (istok) və çıxış (stok) elektrodları, üçüncü elektrod isə idarəedici elektrod (zatvor) adlanır. Sahə tranzistorunda girişlə çıxış arasındakı keçirici kanalın müqavimətini dəyişməklə kanaldan axan cərəyan idarə olunur. Strukturundan asılı olaraq sahə tranzistorları iki qrupa bölünürlər: idarəolunan p-n keçidli və izoləedilmiş zatvorlu tranzistorlar.
Şək.5.1.
İzolə edilmiş zatvorlu sahə tranzistorları iki cür olur: induksiya olunmuş kanallı və mövcud kanallı tranzistorlar. Hər iki halda nisbətən yüksək müqavimətli yarımkeçirici altlıq üzərində əks keçiricilik tipinə malik olan və güclü aşqarlanmış oblastlar yaradılır. Bu oblastların üzərinə metallik elektrodlar çökdürülür: stok və istok. Onlar arasındakı məsafə bir neçə mikrometr olur. Zatvor keçirici kanaldan kanal üzərində yetişdirilən izolə qatı (oksid qatı) ilə ayrılır və istok - stok cərəyanına ancaq özünün elektrik sahəsi ilə təsir edir. Zatvor keçirici kanaldan SiO2, SiO2-Al2O3, SiO2-Si3N4 və s. kimi nazik (0,05 - 0,2 mkm) dielektrik təbəqələri ilə izolə edilir. Dielektrik təbəqə kimi altlıq materialın oksidindən istifadə olunduqda bu cür sahə tranzistorları metal - oksid - yarımkeçirici (MOY) tranzistorlar adlanır. Belə tranzistorlar həmçinin MDY (Metal- Dielektrik-Yarımkeçirici) də adlanır. Zatvor, dielektrik təbəqəsi və yarımkeçiricidəki cərəyan kanalı kondensator təşkil edir. Kanaldan axan cərəyan bu kondensatora tətbiq olunmuş gərginliklə idarə edilir. Bu kanal bütovlüklə əks tipli yarımkeçiricinin daxilində yerləşdiridir (baxılan hal üçün p-tip).
Şək.5.2.