PODSUMOWANIE PRZEGLĄDU LITERATURY
Na podstawie przeglądu literatury można stwierdzić, że spiekanie z udziałem reakcji SHS jest procesem bardziej ekonomicznym niż spiekanie bez reakcji samo rozwijającej się syntezy wysokotemperaturowej, ponieważ dzięki wykorzystaniu wewnętrznego ciepła reakcji proces spiekania zachodzi szybciej i w niższych temperaturach. Procesy niekonwencjonalnego spiekania z udziałem reakcji SHS pozwalają uzyskać spieki o wysokiej gęstości i drobnym ziarnie z materiałów, z których uzyskanie spieków o takich właściwościach w sposób konwencjonalny jest niemożliwe.
CEL PRACY
Celem pracy było wytworzenie i zbadanie właściwości spieków na osnowie NiAl oraz Ni3Al wzmacnianych cząstkami syntetycznego diamentu metodą PPS (Pulse Plasma Sintering) z udziałem reakcji SHS (Self-propagating High-temperature Synthesis).
METODYKA BADAŃ Przygotowanie mieszanek
Mieszanki Ni-Al wykonane były w trzech proporcjach atomowych
(Ni:Al = 1:1, 3:1, 4:1) z dodatkiem oraz bez dodatku syntetycznego diamentu. Mieszanie proszków niklu i aluminium oraz syntetycznego diamentu wykonano w młynie tubularnym przy użyciu kulek stalowych (stosunek kulki : proszek = 1:1 wag.), a czas mieszania wynosił 10 godzin dla mieszanek Ni-Al oraz 5 godzin dla mieszanek
Ni-Al/diament (dobrane na podstawie literatury [10-11]). Zestawienie wykonanych mieszanek znajduje się w tabeli 3.
Stosunek atomowy Ni-Al wyznaczono ze wzoru:
, gdzie:
mNi/mAl – masa naważki niklu/aluminium
MNi/MAl – masa molowa niklu/aluminium
Tabela 3. Zestawienie wykonanych mieszanek
Ni:Al [at.]
|
1:1
|
3:1
|
4:1
|
Bez diamentu
|
NiAl
|
Ni3Al
|
Ni3Al (nadmiar Ni)
|
Z diamentem
|
NiAl+D
|
Ni3Al+D
|
Ni3Al+D (nadmiar Ni)
|
Spiekanie metodą PPS
W niekonwencjonalnej metodzie spiekania PPS w pierwszym etapie wykonuje się formę z konsolidowanym proszkiem w grafitowej matrycy (dopuszczalne są różne wielkości matrycy w zależności od zapotrzebowania), a następnie zagęszcza wstępne w zależności od wymaganego ciśnienia, praską ręczną, albo w urządzeniu PPS bezpośrednio przed procesem spiekania. Próbki: NiAl, Ni3Al, NiAl+D, Ni3Al+D,
Ni3Al (nadmiar Ni) i Ni3Al+D (nadmiar Ni) zostały zagęszczone wstępnie przy użyciu rządzenia PPS pod ciśnieniem 200 MPa i spiekane przy parametrach dobranych na podstawie wcześniejszych badań [59].
Przygotowana forma jest umieszczana centralnie w piecu a następnie ściskana elektrodami pod stopniowo zwiększającym się obciążeniem. Między grafitowymi stemplami formy, a elektrodami umieszczana jest mata grafitowa zapewniająca większą powierzchnię styku, która jest istotna aby impulsy elektryczne mogły przechodzić przez próbkę, a proces nagrzewania zachodził równomiernie w całej objętości spieku. Pomiar temperatury odbywa się przy użyciu pirometrów, z których jeden mierzy temperaturę w pierwszym etapie nagrzewania do wartości 500°C, a drugi podczas spiekania powyżej 500°C. Proces spiekania zachodzi przy próżni wysokiej rzędu 10-6 Pa uzyskanej dzięki układowi pomp obrotowej i dyfuzyjnej. Nagrzewanie podczas spiekania wynosi około 20°C/s i wykorzystuje silnoprądowe impulsy elektryczne.
Proces spiekania możemy podzielić na dwa etapy:
-
Odgazowanie próbki
-
Spiekanie właściwe
Tabela 4. Parametry urządzenia PPS
Napięcie wyładowania [kV]
|
3 - 10
|
Natężenie prądu w impulsie [kA]
|
do 60
|
Energia w impulsie [kJ]
|
0,9 – 10
|
Częstotliwość impulsów [Hz]
|
0,1 – 2
|
Temperatura spiekania [°C]
|
do 2000
|
Pomiar temperatury [°C]
|
20 ÷ 2000
|
Ciśnienie [Pa]
|
1·105 ÷ 1·10-6
|
Nacisk [kN]
|
do 80
|
Pomiar przemieszczenia [mm]
|
- 50 ÷ 50
|
Przedstawione w pracy wyniki dotyczą 6 spieków: NiAl, Ni3Al, NiAl+D, Ni3Al+D,
Ni3Al (nadmiar Ni), Ni3Al+D (nadmiar Ni) wykonanych urządzeniem PPS zgodnie
z następującą procedurą:
-
Zasypanie grafitowej matrycy odważonym proszkiem
-
Wstępne prasowanie w urządzeniu PPS
-
Dwuetapowe spiekanie (odgazowanie i spiekanie właściwe)
-
Wyjęcie próbek z matrycy
-
Czyszczenie oraz szlifowanie i polerowanie
Rys. 8. Schemat urządzenia PPS do spiekania silnoprądowymi impulsami
Parametry procesu spiekania zamieszczone są w tabeli 5, a przebieg procesu na wykresie (rys. 9).
Tabela 5. Parametry procesu spiekania
|
Wartość
|
Jednostka
|
I ETAP
odgazowanie proszku
|
nagrzewanie
do 600°C
|
czas
|
90
|
[s]
|
napięcie
|
6
|
[kV]
|
odstęp między impulsami
|
1
|
[s]
|
wygrzewanie
w 600°C
|
czas
|
300
|
[s]
|
napięcie
|
6
|
[kV]
|
odstęp między impulsami
|
2
|
[s]
|
II ETAP
spiekanie właściwe
|
nagrzewanie
do 1100°C
|
czas
|
120
|
[s]
|
napięcie
|
6,5
|
[kV]
|
odstęp między impulsami
|
0,5
|
[s]
|
wygrzewanie
w 1100°C
|
czas
|
600
|
[s]
|
napięcie
|
6,3
|
[kV]
|
odstęp między impulsami
|
0,5
|
[s]
|
Rys. 9. Schematyczny wykres parametrów procesu spiekania
Dostları ilə paylaş: |