Analoq inteqral sxemlr inteqral sxemlYrin hazırlanma texnalogiyası
Aşağı gYrginlikli qidaya malik mikrosxemlYrin layihYlYndirilmYsi problemlYri
Yüklə 0,67 Mb.
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- 12. Analoq vY analoq-rYqYm mrYkkYb funksional blokların mikrosxematexnikası
- A. Fiziki sabitlYr, 軻 virmY Ymsalları, parametrlYr
- XassYlYri / ElementlYr
11. Aşağı gYrginlikli qidaya malik mikrosxemlYrin layihYlYndirilmYsi problemlYri Son illYrdY 5V gYrginlikli qida mYnbYYlYri daha aşağı gYrginliklilYr ilY YvYz edilir. Naqilsiz rabitY qurğuları vY personal kompter kimi tYtbiq sahYlYrindY sYpYlYnYn gcn vY batareyaların sayının azaldılmasına tYlYblYr rYqYmsal sistemlYrdY qida gYrginliyinin 1,5 V-a qYdYr azaldılmasına gYtirdi. Bu tendensiya mmasir SiGe tranzistorlarda reallaşdırılmışdır, hansılar ki elY konstruksiya edilmişlYr ki deşilmY gYrginliyi RYqYmsal bipolyar sxemlYrdY qida gYrginliyinin burada Bipolyar tranzistorlar zYrindY analoq vY rYqYm sxemlYrinin layihYlYndirilmYsindY digYr çYtinlik ondadır ki, tipik ﾝﾑﾋ sxemlYrdY qoşulma amplitudası ixtiyari se輅lY bilmYz vY onun minimal qiymYti kyn sYviyyYsi ilY mYhdudlanır. Bipolyar diferensial ctlk (ﾝﾑﾋ strukturda diferensial pillY) tYlYb edir ki, girişdYki mYntiqi siqnalın sYviyyYsi Yn azı 5,5jò olsun. HYqiqYtdY isY bu gYrginliyY emitter drYsindYki mqavimYtdY düşYn gYrginlik, cYrYyan zrY gclYnmY Ymsalı ilY mYhdudlanan natamam qoşulma halında qalıq gYrginliyi vY qida şinindY gYrginlik düşksdY YlavY edilmYlidir. Btn bunlar ona gYtirir ki, minimal qoşulma gYrginliyi bir-neçY yz mV olmalıdır. Tranzistorların yksYk iş srYtinin tYmin edilmYsi çn onlar "ağır" doyma rejiminY girmYmYlidirlYr. Bu mYhdudiyyYt, tYqribYn 400 mV tYşkil edYn minimal kollektor-emitter gYrginliyinY BelYliklY, baza-emitter ke輅dindYki gYrginliyi masştablama imkanının olmamağı bipolyar tranzistorlar zYrindY sxemlYrin qida gYrginliyinin sonrakı masştablama problemini dahada kYskinlYşdirir. KMOY tranzistorlar çn belY problem prinsipcY mcud deyil, ona gYki hYdd gYrginliyi Praktikada KMOY tranzistorların, zatvora qoşulan hYdd gYrginliyi olmadıqda ke輅riciliyin yaranması (hYddaltı ke輅ricilik), hYdd gYrginliyinin temperaturdan asılılığı, qısa kanal effekti kimi bir sıra qeyri-ideallığı nYticYsindY KMOY tranzistorlar çn hYdd gYrginliyini bir neçY yz mV se輓Yk lazım gYlir. Bu onları statik xarakteristikalar zrY bipolyar tranzistorlara yaxınlaşdırır. 12. Analoq vY analoq-rYqYm mrYkkYb funksional blokların mikrosxematexnikası KS tipli İBİS-in inkişafını lYngidYn faktor analoq mikrosxemotexnikasının mkYmmYl olmamağıdır. NYticYdY kristalın aktiv vY passiv elementlYrY ayrılan oblastının artırılması vY, ki輅k sinallı parametrlYrin zYruri keyfiyyYtini tYmin edYn YhYmiyyYtli iş輅 cYrYyan tYlYb olunur. Bununla YlaqYdar olaraq mikroelektronikada Ysas istiqamYtlYrdYn biri YvvYlki kimi predmet oblastlarında sistem tYdqiqatlarıdır. Bu tYdqiqatlar kontroller vY mikrokontrollerlYrin, radioelektron avadanlığının uyğun sinfinin yaradılmasına istiqamYtlYnmiş yeni arxitekturalarının sintezini, sistemin İBİS, dat輅klYr vY icra mexanizmlYri arasında "ağırlıq mYrkYzinin" paylanmasının iqtisadi vY texnoloji mYqsYdYuyğunluğunun Ysaslandırılmasını vY s. hYdYflYyir. Lakin aydındır ki, İBİS-in mzakirY olunan sinfinin tYrkibinY hYmişY kifayYt qYdYr mrYkkYb analoq vY, daha 輟x proqramlaşdırılan Yk vasitYsi ilY instalizasiya olunan bloklar daxil olur, hansılar ki "intellektual mYmulatın" bazasını tYşkil edirlYr. Burada praktiki nteyi nYzYrdYn YhYmiyyYt kYsb edYn daha bir vYziyyYti nYzYrY almaq lazımdır: sistem tYdqiqatların nYticYlYrinY uyğun analoq İP bloklar komplektinin yaradılması mikroelektron texnika mYmulatlarının istehsalının tYşkilinin yeni prinsipinY çıxmağa imkan verYcYk, nY vaxt ki, funksional tam qurğunun kristaldaxili mYnsubiyyYtindYn asılı olmayaraq mini-sistemlYrin yeni sinfinin daha tam aparat-proqram birgYlYşmYsi tYmin olunur. Btn bunlar mikroelektronika mYmulatlarının nomenklaturasını azaldır, onların parametr vY xarakteristikalarını razılaşdırmağa imkan verir vY, Yn Ysası onların konkret aparaturada tYtbiqini sadYlYşdirir [5]. DeyilYnlYri nYzYrY almaqla masir drdY YnYnYvi funksional tabeliyY malik analoq mikrosxemotexnikanın 4 qarşılıqlı YlaqYli mYsYlYsini ayırmaq olar. 1. Aktiv elementlYrin hazırlanmasının texnoloji xYtalarının az tYsirY malik olduğu element bazisinin mikrorejimli hissYlYrinin sxemotexnikasının işlYnmYsi. 2. DaxiletmY-çıxarılma analoq portları çn aktiv elementlYrin prinsipial sxemlYr komplektinin yaradılması. 3. İqtisadi cYhYtdYn Ylverişli genişzolaqlı analoq multipleksorların, komparatorların, dayaq gYrginlik vY qida mYnbYlYrinin, YmYliyyat gclYndiricilYrinin, impedans 軻vricilYrinin vY s. sxemotexnikası. 4. Analoq interfeysinin funksional tamamlanmış dYqiq qurğularının - instrumental gclYndiricilYrin, szgYclYrin, fazaya qYdYr dYqiqliklY TAT bloklarının, ARﾇ, RAﾇ, balans qarışdırıcıları vY vurucuları, kvadratur modulyator vY demodulyatorlar, idarY olunan harmonik rYqs generatorları vY multivibratorlar vY s. sxemotexnikası. Birinnci problem sinfindY geometriya vY aktiv komponentlYrin iş rejimlYrinin vY texnoloji normaların YlaqYsini vY onların, sadY hissYlYrin - pillYlYrin vY mxtYlif funksional mYqsYdli blokların genişzolaqlılığını vY gclYndirmY xassYlYrini xarakterizY edYn parametrlYrinin kombinasiyalarını qYrarlaşdıran nYzYri Ysaslandırılmış hYdd mYhdudiyyYtlYri zYruridir. Aparılmış tYdqiqatlar gtYrir ki, tranzistorun parazit ke輅d tutumunun buraxma zolağının sYrhYd tezliyinY tYsirini, YlavY tranzistorlar vasitYsi ilY yaradılmış kompensasiyaedici Yks YlaqY drYsi vasitYsi ilY YhYmiyyYtli dYrYcYdY azaltmaq olar. Bu halda reallaşan genişzolaqlılıq sYrf olunan gcn azaldılması (yalnız sYrf olunan gcn deyil, hYm dY minimal qida gYrginliyinin) çn istifadY oluna bilYr. Mcud submikron bipolyar tranzistorlar çn pillYnin gtYrilYn gcnn bir tYrtib azaldılması kifayYt qYdYr sadY tYmin olunur. mYliyyat gclYndiricilYrinin, impedans 軻vricilYrinin, komparatorların, stabilizatorların vY dayaq gYrginliyi mYnbYYlYrinin sxemotexnikasında gclYndirici kaskadların miqdarının ikidYn 輟x, aktiv komponentlYrin miqdarının isY bir neçY on vahid olduğunu nYzYrY alsaq mumi mYsYlYnin hYllindY tranzistorların mumi sayının artması YhYmiyyYtsiz az, reallaşdırılan effekt isY YhYmiyyYtli olur. Qeyd etmYk lazımdır ki, buraxma zolağının sYrhYd tezliyinin artırılması hYm輅nin çıxış gYrginliyinin bmY srYtini artırmağada imkan verir. Lakin sYrf olunan gcn azalması halında statik rejimdY sYrf olunan cYrYyanı YlavY artırmadan çıxış gYrginliyinin bmY srYtinin artırılmağı qeyri-xYtti korreksiya drYlYrinin tYtbiqi hesabına tYmin olunur. Bu zaman birinci halda olduğu kimi tranzistorların sayının aktiv elementY (mYsYlYn YmYliyyat gclYndiricisinY) hesablanmış artımı 10% -dYn 輟x olmur. NYzYri olaraq gtYrilmişdir ki, geniş zolaqlı kaskad vY gclYndiricilYrin yaradılması çn yuxarıda gtYrilYn prinsiplYr yeganYdir. HYmin sYbYbdYn onlar analoq daxiletmY-çıxarılma portları çn aktiv elementlYrin prinsipial sxemlYri komplektinin qurulmasının Ysası ola bilYr vY onların istehsalının mxtYlif bazis vY texnologiyalarına istiqamYtlYnYr. MzakirY olunan problemdY gtYrilYn mYsYlY Yn 輟x YmYk tYlYb edYn vY YhYmiyyYtlidir. BelY nYticY mikroelektronika çn tYbii fakta, yalnız hissY vY ya mYmulatın topologiyası alındıqdan, onun qatlar zrY birgYlYşdirilmYsindYn, hYm輅nin nYzarYt imkanından sonra qYrarın qYbul edilmYsinY Ysaslanır. Yalnız belY elementlYr kitabxanası kristal zYrindY sistemin layihYlYndirmY vY bu vY ya digYr arxitekturanın inkişafı haqqında qYrarın qYbuledilmYsi prosedurasının avtomatlaşdırılmasına imkan verYr. MYsYlYnin hYll edilmYsinin nbYti mhmm mYrhYlYsi iqtisadi cYhYtdYn Ylverişli genişzolaqlı, konkret texnologiyaya adaptasiya olunmuş, portların vY analoq mrYkkYb blokların YhYmiyyYtli tYrkib hissYlYri olan funksional tamamlanmış hissYlYrin sxemotexnikasının işlYnmYsidir. MxtYlif YmYliyyat gclYndiricilYri, komparatorlar vY dayaq gYrginliyi mYnbYlYri komplektlYri funksional tamamlanmış qurğuların yeni konfiqurasiyaları (mYsYlYn, struktur sintez yolu ilY alınmış) ilY birgY hYll edilYn mYsYlY çn analoq portlarının mxtYlif strukturlarının reallaşdırılma imkanlarının hYddini, multipleksY olunmamış arxitekturaların vY ya, Yn azı, mini-sistemin yaradılmasının mYqsYdYuyğunluğunun Ysaslandırılmasını kifayYt qYdYr dYqiqliklY tYyin etmYyY imkan verir. Analoq interfeysinin mxtYlif funksional qeyri-hYmcins hissYlYrinin birgYlYşdirmY imkanı praktiki nteyi nYzYrdYn az olmayan YhYmiyyYt kYsb edir. BelY yaxınlaşma mxtYlif mrYkkYb vYziyyYtlYrdY bir sıra YhYmiyyYtli mYsYlYlYrin hYllini tYmin edY bilYr. MYsYlYn, multidiferensial YmYliyyat gclYndiricilYrinin sxemotexnikasının, onların Ysasında xYtti analoq qurğularının qurulması çn nYzYri bazisin yaradılması bir aktiv element zYrindY iqtisadi cYhYtdYn Ylverişli olan vY instrumental gclYndirici ilY szgYcin funksiyalarını birgYlYşdirYn analoq daxiletmY portunun yaradılmasına imkan verdi. KS tipli İBİS-Y istiqamYtlYnmiş analoq elektronikasının mumi probleminin ddncmYsYlYsi funksional tamamlanmış hYm fiksY edilmiş, hYm dY idarYolunan parametrlYrY malik presizion qurğuların sxemotexnikasının inkişafı ilY YlaqYdardır. Onların struktur sintez metodları geniş tezlik vY dinamiki diapazonlara malik prinsipial sxem yaratmağa imkan verir. Bu aktiv elementlYrin vahid gclYnmY tezlliyinin onların Ysas xarakteristika vY parametrlYrinY tYsirinin struktur vY parametrik optimizasiyası ilY YldY edilir. Aparılan tYdqiqatlar çYr輅vYsindY, mstYsna hal kimi gtYrilmişdir ki, ikilik kod ilY inisializasiya olunan qurğuların qurulması zamanı aktiv elementlYrin (gclYndiricilYrin) sayını artırmaq lazımdır. Onlar rYqYm idarY olunan ke輅riciliklYr ilY birgY nkompensasiya prinsipi36 Ysasında vahid gclYnmY tezliyinY vY YmYliyyat gclYndiricilYrinin digYr parametrlYrinY cYm hYssaslığı aşağı olan qurğular yaratmağa imkan verir. GtYrilYn vYziyyYt fiksY edilmiş vY idarY olunan parametrlYrY malik analoq portlarının rYqabYt qabiliyyYti mYsYlYsini praktiki mstYviyY ke輅rmYyY imkan verir. Sonuncuların nisbi mrYkkYbliyinY baxmayaraq onların İBİS-dY effektivliyi qYrar qYbuletmY prosedurasında hYlledici faktor ola bilYr. n azı, siqnalların mcud rYqYmsal işlYnmY alqoritmlYri gtYrir ki, dYrYcY torunun tam istifadY olunması vY tezlik szgYclYnmYsi mYrhYlYsinin aradan çıxarılması hesabına yalnız sistemin cYldliyini deyil, hYm dY son nYticYlYrin döğruluğunu artırmaq olar. NYhayYt, apparat reallaşdırılması mrYkkYb olan inisiallaşdırılan, lakin effektiv analoq interfeyslYri mini-sistemlYrin qurulma strategiyasını dYyişY bilYr. KS-Y problem-istiqamYtli inkişafın başlanğıc mYrhYlYsindY bu daha YhYmiyyYtlidir. İki - vY çkristallı mini-sistemlYr prinsipial asimmetrik qYrarlardan ibarYt olacaq - birinci İBİS verilYnlYri mrYkkYb daxiletmY portları Ysasında analoq-rYqYm 軻virmYsi mYsYlYsini, onların, tYmYlYrin qiymYtlYndirilmYsi, giriş massivlYrinin nlYrY bnmYsi, fasilYlYrin37 arbitrajı vY s. daxil olmaqla ilkin işlYnmYsi mYsYlYsini hYll edir. ﾖz funksional tYyinatına gY ikinci İBİS sistemin mYrkYzi prosessor elementi ola bilYr. DigYr, onların qarşılıqlı tYsirinin dah mrYkkYb variantlarıda mmkndr. Lakin istYnilYn halda sinxronizasiya prosedurunun YhYmiyyYtli sadYlYşdirilmYsi btlkdY sistemin mYhsuldarlığının artırılması ilY bYrabYr onların mrYkkYblik hYddinin yksYldilmYsi istiqamYtindY dY bir sıra problemlYri aradan qaldırır. Lakin YvvYl olduğu kimi belY yaxınlaşmanın texnoloji reallaşdırma imkanı inisializasiya olunan analoq qurğularının sxemotexniki reallaşdırılmasının işlYnmY dYrinliyindYn vY uyğun İP modullar kitabxanasının yaradılmasından bir başa asılı olacaq. İBİS rabitY avadanlığına istiqamYtlYnmiş analoq mikrosxemotexnikasını da ayırmaq lazımdır. Burada verilYnlYrin (siqnalların) SoC-kontrollerY daxil edilmYsi nisbYtYn sadY aparat resursları ilY hYll edilir. NisbYtYn ki輅k dinamiki diapazon, yavaş dYyişYn (sabit cYrYyana yaxın) analoq siqnallarının gclYndirilmYsi zYruriyyYtinin olmamağı uyğun hissY vY modulların sxemotexniki hYllYrini YhYmiyyYtli dYrYcYdY sadYlYşdirir. Lakin bununla birlikdY işlYnYn verilYnlYrinin bk rlmY srYtinin tYmin edilmYsi daxiletmY portlarının sxemotexnikasını YhYmiyyYtli dYrYcYdY mrYkkYblYşdirY bilYr. Bu, radiotrakt daxil olmaqla rabitY xYttinY yksYk tezlikli diapazonda nisbYtYn bk gclYrin rlmYsi ilY YlaqYdardır. MYhz burada tranzistorların ke輅d tutumlarının tYsirinin nkompensasiyası prinsipinin istifadY olunması yaxşı nYticY verY bilYr. Mcud mini- vY mikrokontroller sistemlYrinin mqayisYsi gtYrir ki, bu ke輅d analoq hissYlYrin yerinY yetirdiyi funksional vY riyazi YmYliyyatların sayını YhYmiyyYtli dYrYcYdY azaltmışdır. ŞbhYsiz ki, bu "ağırlıq mYrkYzini" srüşdrmüş vY radioelektron avadanlıqda İBİS-in reallaşdırma imkanları hYddinY neqativ tYsir etmişdir. Bununla YlaqYdar olaraq müYyyYn inamla demYk olar ki, masir İP blokların funksional bazisini tYşkil edYn iqtisadi cYhYtdYn Ylverişli geniş diapazonlu element vY qurğuların yaradılması SoC kontrollerlYrdY, müYyyYn qYdYr dY olsa, analoq siqnallarının işlYnmYsi çn hibrid mini-sistemlYrin stnlklYrini saxlamağa imkan verir. Yuxarıda baxılan mYsYlYlYr şYk. 1-dY verilYn cYdvYlY daxil edilmişdir.
GtYrilYn vY YsasYn formalaşmış yaxınlaşmalar analoq hissYlYrin, blokların, port vY altsistemlYrin işlYnmY dYrinliyinY bir sıra tYlYblYr qoyur. sasda son mYhsulun tamamlanma prinsipi durur - prinsipial sxem "kristal zYrindY sistem" çn zYruri funksiyaları yerinY yetirmYli, texnoloji xarakterli mYhdudiyyYtlYr qammasına cavab vermYli vY, Yn YhYmiyyYtlisi, uyğun topologiya ilY müşaiyYt olunmalıdır. Yalnız son qYrarın qYbul edilmYsi yox, hYm dY istYnilYn funksional blokun sxemotexnik modernizasiyasına konkret mYsYlYnin formalaşdırılması hYm alternativ variantların keyfiyyYt gtYricilYrinin, hYm dY onların İBİS-in konkret qatında yerlYşmY xsusiyyYtlYrinin, portların digYr hissYlYrinin vY ya mikrosistemin digYr kYk輅 qurğularının birgYlYşdirilmY imkanlarının mqayisYli analizi şYraitindY mmkndr. DeyilYn analoq mikrosxematexnikanın inkişafının aşağıdakı daxili mYrhYlYlYrini müYyyYnlYşdirir. Birinci, iqtisadi cYhYtdYn Ylverişli genişdiapazonlu kaskad vY blokların qurulma nYzYriyyYsi mcud texnologiyalar (ﾊﾌﾎﾏ, ﾁ靂ﾎﾏ, Si/Ge ….) çn istYnilYn konfiqurasiyanın hYdd imkanlarının vY keyfiyyYt stnlklYrinin qiymYtlYndirilmYsi ilY müşayYt olunmalıdır. Burada dominant kriteriya kimi kristalın sahYsi vY onun, YnYnYvi sxem hYllYrinY faiz nisbYti istifadY olunmalıdır. İkinci, mcud kompensasiya prinsiplYri Ysasında rYqYm elektronikasında keyfiyyYtli gclYndirici kaskadların qurulması çn mxtYlif kombinasiyalarda tYtbiq olunan sahY tranzistorlarının istifadY imkanlarına cavab verilmYlidir. Yalnız Ysasların sahYsinin vY sYrf olunan gcn mqayisYsi hYm hissYlYrin, hYm dY mrYkkYb funksional blokların sxemotexnikasını dzgn istiqamYtlYndirmYyY imkan verYr. Lakin REA-nın tYtbiq praktikası gcldestabilizasiyaedici faktorların tYsiri şYraitindY işlYyYn İS vY BİS yaratmağı tYlYb edir. Bu mYsYlYnin hYlli daha 輟x mikron texnologiyalar çYr輅vYsindY mYqsYdYuyğundur. MYhz burada xsusi vY qarşılıqlı kompensasiya prinsiplYri daha parlaq nbiruzY verir. Bu zaman hYmin yaxınlaşmaların komponent sYviyyYdY vY funksional qurğu sYviyyYsindY birgYlYşmYsi keyfiyyYt gtYricilYri submikron analoqlara uyğun gYlmYyYn analoq vY analoq-rYqYm İS reallaşdırmağa imkan verir. ﾜ錮nc btn alternativ variantları, texniki vY texnoloji parametrlYrin müYyyYn birliyi ilY son mYsYlYnin hYlli çn sYrbYst YhYmiyyYt kYsb edYn baza aktiv elementlYrin prinsipial sxemlYri zYrindY aprobasiya etmYk zYruridir. NYhayYt, mikrosxemotexnikanın funksional sYviyyYdY inkişafı hYm aktiv elementlYrin parametrlYrinY YvvYl aşkarlanmış mYhdudiyyYtlYri, hYm dY passiv elementlYrin vY ya onların hissYlYrinin nominallarına vY dYqiqlik sinfinY mYhdudiyyYtlYri tam şYkildY nYzYrY almalıdır. Burada aşağıdakını qeyd etmYk zYruridir. Analoq portların aktiv szgYclYrinin qurulması zamanı hYm aktiv, hYm dY passiv komponentlYrin effektiv istifadYsi çn kifayYt qYdYr dYqiq kristaldan kYnar kondensatorlardan istifadY etmYk lazım gYlir. Ona gYdY onların qoşulması çn xarici dynlYr az daxili mqavimYtlY xarakterizY olunmalı vY onların cYm tutumu tam müYyyYn qeyri-bYrabYrliyi YmYlidir. Lakin hYmişY buraxma zolağının aşağı effektiv istifadYsinin vY belY qurğunun tYrtibinin alternativ variantının analizini aparmaq zYruridir. Analoq mikrosxemotexnikasının funksional sYviyyYsinin inkişafı sinfindY aktiv elementlYrin, mrYkkYb funksional blokların funksional mYqsYdinY uyğun olan vY drYnin aktiv vY passiv komponentlYrinin sayını azaltmağa imkan verYn yeni tiplYrinin axtarışını davam etdirmYk zYruridir. DeyilYnlYrY misal olaraq multidiferensial YmYliyyat gclYndiricilYrini vY onlara uyğun qurğuları gtYrmYk olar. lbYttY, KS tipli İBİS-in yaradılması mYsYlYsindY analoq mikrosxemotexnikasının yeri haqqında verilYn bu düşncYlYri tam hesab etmYk olmaz. Lakin mikroelektronikanın bu YhYmiyyYtli istiqamYtinin inkişaf dinamikası gtYrir ki, onların dYqiq analizi vY alternativ istiqamYtlYrin axtarışı olmadan submikron texnologiyanın naliyYtlYrinin effektiv istifadYsinY mid etmYk olmaz.
LAVLR
A. Fiziki sabitlYr, 軻virmY Ymsalları, parametrlYr AdıİşarYsiQiymYtiAnqstrem Bolsman sabiti Elektronun ykü Vakuumun dielektrik nfuzluğu Vakuumun maqnit nfuzluğu Plank sabiti Protonun ktlYsi Elektronun ktlYsi Avaqadro YdYdi XassYlYri / ElementlYrGeSiAtom sayı3214Atom ktlYsi72,628,06Sıxlığı (300 K), rimY temperaturu, K11091693Qaynama temperaturu, K29732873300 K temperaturda azad elektronların mtYhYrrikliyi, 0,390,135300 K temperaturda azad deşiklYrin mtYhYrrikliyi, 0,190,048 ﾎåè â í鞳å "Sokolof S. Analogovye int.sx." 1. 8.8.1. ﾏå淲湜å ﾔﾀﾏﾗ. ð. 541 è 543 î糘ⅱ è ó湜. 1 ﾏà竟à, plate 2 ﾊⅱóñ; frame, case, body 3 ﾘè粲à; grinding, polishing 5 ﾑèê – ingot, bar 6 髜銛™… 7 ﾇ璢íà 8 ﾋ裙頏魵瑙韃; alloyage åë., alloying 9 ﾏ…粱褊韃, development 10 ﾑå; taking down; raising 11 ﾏ鮏î跛à, substrate 12 ﾎ砒蓖褊燾é 鵫; barrier layer, blocking layer, depletion layer 13 ﾏ碚é, puncture 14 åð靑韃 15 ﾏ褞褌飼à, jumper 16 ﾑë珞濵é 肄瑙韃糺é ëⅲî濵é ð鞦ⅱ 17 ﾊ頽韃炅 ⅲà硴褊 焏珸濵胛 肬琿à, common mode rejection factor 18 ﾏ褞裝瑣ⅸ浯… îí ð魵鮏韲ⅲ, transfer admittance 20 ﾎåí燾å 齏頸褄è, operational amplifier 21 ﾌ湜îå 鈞鈑ë褊韃 22 ﾄ碚粽é ì; fluctuation noise, full shot noise, Schottky noise, shot noise 23 ﾒ鶴 襌褊; bias current, offset current, bias 24 ﾒ鶴 粨聰, shift current 25 ﾂ 濵粱褊; transient period, transitory period 26 ﾏ褞裲褌鐱 27 ﾎ磅褌燾é 鈞ä; bulk charge, space [spatial] charge, volume charge 29 ﾔ珸魵 珞î蓴鵫à ⅳû; phase lock, phase-locked-loop frequency control 30 ﾂ鎤ⅱà, sample 31 ﾏ碚 ñ å濵ì 鈞萵 - Churche connected device 32 ﾏ胙瑟è褌鮱 …蓿î 33 ﾑ齏魵鐱 ð鞣鮏û 34 ﾂ褊濵胛 35 ﾊﾍﾈ (ð褌湜é 浯 韈鸙…), silicon-on-insulator 36 ﾏ煜韵 碵褊濵é îï褊è 37 ﾏ籵湜å; breaking, interruption Yüklə 0,67 Mb. Dostları ilə paylaş:
|
ilY kompromisdY