Analoq inteqral sxemlr inteqral sxemlYrin hazırlanma texnalogiyası

MYsYlYlYr

2.1. Bir varaktor diodu ﾎﾂﾗ-teleyayım diapazonunda klYnmYni tYmin edY bilYrmi? NYzYrY alın ki, bu diapazon 54-88 MHs (2-6-cı kanallar) vY 174-216 MHs (7-13-ckanallar) tezliklYri ndY cYmlYşdirir, vY hYr bir kanalın eni 6 MHs tYşkil edir. QYbul edin ki, mmkn olan minimal Yks srüşmY 3 V, sxemin maksimal qida gYrginliyi 30 V -dur. Cavabı izah edin.

3. Sabit cYrYyan, gYrginlik vY dayaq gYrginliyi mYnbYYlYri

3.1. Sabit cYrYyan mYnbYlYri. CYrYyan gzgs CYrYyan mYnbYyinin Ysas sxemi. CYrYyan mYnbYyinin çıxış xarakteristikası. CYryan mYnbYlYrinin ekvivalent sxemlYri. CYrYyan mYnbYyinin Ysas sxemi.

3.1.1. GYrginliyin xYtti dYyişmY diapazonu simmetrik olan cYrYyan mYnbYyi. GYrginliyin xYtti dYyişmY diapazonlarının mqayisYsi.

3.1.2. CYrYyanların aşağı sYviyyYlYri çn cYrYyan mYnbYlYri.

3.1.3. MYnbYyin cYrYyanının qida gYrginliyindYn aslılığı.

3.1.4. CYrYyan mYnbYyinin temperatur Ymsalı.

3.1.5. Uilson cYrYyan gzgsnn sxemi. Baza cYrYyanlarının qarşılıqlı kompensasiyası. GYrginliyin xYtti dYyişmY diapazonu. Uilson cYrYyan gzgsnn dinamik çıxış ke輅riciliyi.

3.1.6. MYnfi qtbltYrkibi cYrYyan mYnbYyi (biri digYrini YvYz edYn iki mYnbY). GYrginliyin xYtti dYyişmY diapazonu. Dinamiki çıxış kompleks ke輅riciliyi.

3.1.7. Bir neçY mYnfi qtblcYrYyan mYnbYyindYn ibarYt sxem.

3.1.8. Qida gYrginliyindYn asılı olmayan cYrYyan mYnbYyi.

3.1.9. Diod kimi qoşulmuş sahY tranzistorları zYrindY cYrYyan stabilizatorları.

3.1.10. MOY - tranzistorlar zYrindY cYrYyan mYnbYlYri.

3.1.11. MOY-tranzistorlar zYrindY, qida gYrginliyindYn zYif asılı olan cYrYyan mYnbYlYri. Kasıblaşdırılmış rejimli MOY-tranzistorlar zYrindY cYrYyan mYnbYlYri. CYrYyan mYnbYyi aktiv yk kimi. Komplomentar MOY-tranzistorlar.

3.2. GYrginlik mYnbYYlYri

3.2.1. İmpedansın 軻vririlmYsi. Tranzistorun impedansının 軻vrilmYsi ilY gYrginlik mYnbYyi. GYrginlik mYnbYyinin çıxış xarakteristikaları. GYrginlik stabilizatorunun vY ya mYnbYyinin yk zrY stabilliyi. İdeal vY real gYrginlik mYnbYlYrinin ekvivalent sxemlYri.

3.2.2. ﾇıxış impedansının azaldılması çn mYnfi Yks rabitYdYn istifadY olunması.

3.2.3. SYrf olunan gcn azaldıılması (xYtti stabilizasiya).

3.2.4. gYrginliyini dayaq kimi istifadY edYn gYrginlik mYnbYyi.

3.3. Temperatur dYyişmYlYrindYn asılı olmayan dayaq gYrginliyi mYnbYYlYri.

3.3.1. Qadağan olunmuş zonanın eni ilY müYyyYn olunan dayaq gYrginliyi mYnbYyi. çn temperatur Ymsalı.

3.3.2. ks rabitYli gclYndiriciyY malik dayaq gYrginliyi mYnbYyi.

3.3.3. Dayaq diodu.

3.3.4. İstilik stabilizasiyalı dayaq gYrginliyi mYnbYyi.

MYsYlYlYr

4. Differensial gclYndiricilYr YmYliyyat gclYndiricilYrinin vY digYr İS-lYrin ilk, vY ya giriş pillYsidir, ona gY dY o İS-lYrin YksYr iş輅 xarakteristikalarını: srüşmY gYrginliyi , giriş srüşmY cYrYyanı , giriş yerdYyişmY cYrYyanı , giriş mqavimYti vY sinfaz siqnalı zYiflYtmY Ymsalı (KOCC¹⁷) müYyyYn edir.

4.1. Bipolyar tranzistorlar zYrindY differensial gclYndirici. Diferensial gclYndiricinin işinin analizini baza sxemi (şYk. 4.1) Ysasında hYyata ke輅rYk. ŞYk. 4.2- dY diferensial gclYndirici yk rezistorları ilY verilmişdir. Tutaq ki, diferensial ctn vY hYr iki tranzistoru aktiv rejimdY işlYyirlYr vY onların baza cYrYyanları kollektor cYrYyanları ilY mqayisYdY ki輅kdir. Sonrakı hesabatların Ysaslandığı Ysas mnasibYt - tranzistorun kollektor cYrYyanının baza-emitter gYrginliyindYn eksponensial aslılığıdır. -in kollektor cYrYyanı çn yazırıq

, (4.1)

burada - tranzistorunun Yks kollektor cYrYyanı, - tranzistorunun baza-emitter gYrginliyidir. tranzistoru çn analoji ifadY yazmaq olar:

.

gYr hYr iki tranzistor vY tam identik olarsa vY eyni kollektro gYrginliklYrindY işlYyYrsY olar. Lakin hYr iki tranzistor eyni kristalda hazırlansa belY onlar tam eyni ola bilmYz. Ona gY dY rahatlıq çn aşağıdakı mnasibYtdYn tYyin olunan srüşmY gYrginliyi, anlayışı daxil edirik:

,

belYliklY

. (4.2)

gYr hYr iki tranzistor tam eyni olarsa, onda olar. SrüşmY gYrginliyinin belY tYyini çn ifadYni aşağıdakı kimi yazmağa imkan verir:

.

olduğuna gY, alırıq

, (4.3)

belYliklY

. (4.4)

(4.4) ifadYsini (4.1)-dY yerinY qoysaq taparıq

. (4.5)

SurYt vY mYxrYci - yY bYrYk alırıq

. (4.6)

çn tapırıq

, (4.7)

yYni

. (4.7)

BelYki vY , vY nYzYrY alsaq ki, , yazmaq olar .

Diferensial giriş gYrginliyi anlayışı daxil edirik. İndi vY cYrYyanlarını ilY ifadY edirik

, (4.9)

. (4.10)

Qeyd edYk ki, YgYr olarsa, onda olar. Planar tranzistorlar çn adYtYn , ona gY dY halında diferensial gclYndirici balanslaşdırılmış olur, yYni cYrYyan mYnbYyinin cYrYyanı diferensial ctn tranzistorları arasında bYrabYr bnr.

MYnbYyin mumi cYrYyanının 90%-nin vY 10%-nin tranzistorlarından axmasını tYmin edYn diferensial giriş gYrginliyini tYyin edYk. Bu halda vY , ona gY dY alırıq

, yYni , (4.11)

uyğun olaraq

. (4.12)

ks tYqdirdY, yYni vY olduqda analoji olaraq yazmaq olar: . Diferensial gclYndiricinin cYrYyanının vY qiymYtindYn vY qiymYtinY qYdYr dYyişdirilmYsi çn zYruri olan gYrginlik diapazonu ke輅d gYrginliyi adlandırılır. Baxdığımız misalda .

Bir misalada baxaq: vY . Tapırıq

, (4.13)

yYni . vY çn alırıq . HYtta daha mumi halda vY oldqda belY tYlYb olunan diferensial giriş gYrginliyi olur.

gYr diferensial gclYndiricinin srüşmY cYrYyanı verYn cYrYyan mYnbYyi ideal cYrYyan mYnbYyidirsY, onda onun zYrindYki gYrginlik düşgsndYn asılı olmur vY, uyğun olaraq giriş gYrginliklYrindY dY vY asılı olmayacaq. vY çn ifadYlYrin analizi gtYrir ki, YgYr kYmiyyYti sabit olarsa, onda vY yalnız diferensial giriş gYrginliklYrinin funksiyaları olar, vY giriş gYrginliyinin istYnilYn sinfaz tYşkiledicilYrindYn tamamilY asılı olmur. BelYliklY gclYndirici hYqiqYtYn diferensial gclYndirici olur vY yalnız onun diferensial girişlYrinY vY verilYn gYrginliklYrin fYrqinY reaksiya verYrYk, hYr iki giriş çn mumi olan gYrginliklYrY reaksiya vermir. Diferensial giriş gYrginliyi yuxarıda kimi tYyin olunmuşdur. İndi iki gYrginliyin cYbri ortası kimi tapılan sinfaz giriş gYrginliyini tapaq, . halında giriş gYrginliyinin sinfaz tYşkiledicisi sıfıra bYrabYr olur vY giriş gYrginliyi tYmiz diferensial olur. DigYr tYrYfdYn YgYr olarsa, onda diferensial tYşkiledici sıfıra bYrabYr olur vY giriş gYrginliyi tYmiz sinfaz olur.
4.1.1. ﾖtrmY ke輅riciliklYri¹⁸. vY asılılıqlarının ifadYlYrindYn gnr ki, çıxış cYrYyanları , vY giriş gYrginliyi arasındakı asılılıq nteyi-nYzYrindYn diferensial gclYndirici qeyri-xYtti qurğudur. Lakin rmY xarakteristikasının vY ya müYyyYn mYhdud oblastı daxilindY cYrYyanlar vY giriş gYrginliyi arasındakı aslılıq tYqribi xYtti hesab oluna bilYr. HYmin sYbYbdYn ki輅k amplitudalı siqnallar işlYnYn zaman diferensial gclYndirici praktiki olaraq xYtti qurğu hesab oluna bilYr.

ﾖtrmY ke輅riciliyi - 輟xqtblnn dynlYri ctarasında cYrYyanın dYyişmYsinin, bir ct dyn arasındakı gYrginliyin, cYrYyanın hYmin dYyişmYsinY sYbYb olan dYyişmYsinY nisbYtidir. ŞYk. 4.4 -dY diferensial gclYndirici 輟xqtblkimi tYsvir olunmuşdur.

ŞYk. 4.4 -Y YsasYn aşağıdakı rmY ke輅riciliklYrini tYyin etmYk olar:

, , , . (4.14)

GtYrilir ki, diferensial gclYndiricinin btn bu ke輅riciliklYri kYmiyyYtcY bYrabYr olub yalnız işarYcY fYrqlYnirlYr, yYni

. (4.23)

gYr olduğunu nYzYrY alsaq, tapırıq:

. (4.24)

halında maksimal qiymYt alınır,

. (4.25)

ŞYk. 4.5 - dY rmY ke輅riciliyinin ya , ya da tranzistorlarının sabit skunYt cYrY­yanından asılılıq qrafiki verilir. Qeyd edYk ki, halında qrafik yastı maksimuma malikdir.

ﾖtrmY ke輅riciyi, hYm輅nin iki giriş arasındakı sabit gYrginliklY dY ifadY oluna bilYr. (4.9) vY (4.10) ifadYlYrini (4.23)-dY yerinY qoyaraq tapırıq:

, (4.27)

burada . NYzYrY alsaq ki,

, (4.28)

tapırıq

. (4.29)

ŞYk. 4.6-da rmY ke輅riciliyinin, , diferensial gclYndiricinin girişlYri arasındakı sabit diferensial gYrginlikdYn, asılılığının qrafiki verilmişdir. Qeyd edYk ki, diferensial giriş gYrginliyi vY srüşmY gYrginliyi bir-birini kompensasiya etdikdY (), yYni sxem balanslaşdırılmış olduqda vY, uyğun olaraq halında maksimal olur. fYrqi modulca 10 mV-dan 輟x olduqda rmY ke輅riciliyi srYtlY azalır. Bu da diferensial gclYndiricinin gYrginlik zrY gclYnmY Ymsalının uyğun dYyişmYsi ilY müşayiYt olunur. Bu xsusiyyYt gclYnmYnin avtomatik tYnzimlYnmYsi sxemlYrindY geniş istifadY olunur.

4.1.2. ﾇıxış gYrginliyi vY gYrginlik zrY gclYnmY Ymsalı.

4.1.3. Sinfaz rmY ke輅riciliyi.

4.1.4. Giriş ke輅riciliyi. Sinfaz giriş mqavimYti.

4.1.5. Bipolyar tranzistorlar zYrindY differensial gclYndiricinin balanslaşdırılması, giriş srüşmY gYrginliyi.

4.1.6. Differensial gclYndiricinin balanslaşdırılmasına kollektor gYrginliyinin tYsiri. Bazanın eninin modulyasiyası effekti (Erli effekti).

4.2. SahY tranzistorları zYrindY differensial gclYndirici

4.2.1. MOY tranzistorlar zYrindY differensial gclYndirici.

4.2.2. SahY tranzistorlarının srüşmY gYrginliyi vY onun temperatur dreyfi.

4.3. Aktiv yk

4.3.1. MOY - tranzistorlar zYrindY cYrYyan gzgssxemi gnüşlaktiv ykY malik diferensial gclYndirici.

4.4. TYrkibi tranzistorlar¹⁹ zYrindY differensial gclYndirici
4.5. Giriş gYrginliyi diapazonunda sıfır potensialı olan differensial gclYndirici
4.6. Simmetriya oxu
MYsYlYlYr

4.1. Differensial gclYndirici. Verilir: -tipli bipolyar tranzistorlar zYrindY başlanğıc cYrYyan mYnbYyinY vY passiv ykY malikdiferensial gclYndirici (34.1), , , , (minimum), halında , (minimum), , qeyd olunmuş xsusi hallardan YlavY btn tranzistorlar identikdir; cYrYyan mYnbYyinin () çıxış ke輅riciliyi 307 nSm tYşkil edir, .

Tapmalıı: a) , vY (cavab: 14,35 kOm, 201 Om, 60 kOm);

b) dinamiki rmY diferensial ke輅ricilik, (cavab: );

c) gYrginlik zrY gclYnmY Ymsalı: , vY (), burada -az siqnallı giriş gYrginliyidir (cavab: -120, +120, -240);

d) Giriş srüşmY cYrYyanı, (cavab: (maksimum));

e) dinamiki giriş diferensial mqavimYti, (cavab: 100kOm (minimum));

f) sinfaz giriş mqavimYti, (cavab: 1,3 QOm (minimum));

m) dinamik rmY sinfaz ke輅riciliyi, (cavab: 153 nSm);

k) sinfaz gYrginliyi gclYndirmY Ymsalı vY KOCC (cavab: , KOCC=82,3 dB);

l) giriş gYrginliyi diapazonu (cavab: 1) ya , ya yada ki, hYr ikisi -14,2 V - dan輟x olmalıdır; 2) YgYr olarsa onda +9,5 V-dan ki輅k olmalıdır, YgYr olarsa hYr iki gYrginlik +3,5 V-dan ki輅k olmalıdır; 3) vY arasındakı maksimal gYrginlik -dan 輟x olmamalıdır);

n) halında vY , , vY (cavab: 62 mkA, 138 mkA);

o) YvvYki bYndin verilYnlYrini nYzYrY almaqla vY diferensial gYrginliyi gclYndirmY Ymsalı (qeyri-simmetrik çıxış) (cavab: 1,71 mSm, 103);

p) halında vY () (cavab: +9,24 V, + 8,76 V);

r) halında (cavab: );

s) diferensial giriş mqavimYti 100 kOm (simmetrik giriş) olan digYr diferensial gclYndiricini idarY edYn diferensial gclYndiricinin gYrginlik zrY gclYnmY Ymsalı, (cavab: 109);

t) vY halında vY (cavab: +15 V, +3,0 V);

u) vY halında vY (cavab: 176 mkA, 24 mkA);

j) cYrYyan mYnbYyinin çıxış ke輅riciliyi, (cavab: 307 nSm).

4.2. -ke輅dli sahY tranzistoru zYrindY d ifferensial gclYndirici (şYk. 34.2). Verilir: . Diferensial gclYndiricinin tranzistorları vY , cYrYyan mYnbYyi, aktiv yk tranzistorları, vY tranzistorlarının parametrlYri belYdir: , , vY .

Tapmalı: a) diferensial gclYndiricinin dinamiki rmY ke輅riciliyi, (cavab: );

b) simmetrik giriş zrY azsiqnallı gYrginliyin gclYnmY Ymsalı: (cavab: ).

c) Diferensial gclYndiricinin tam cYrYyanının 90%-nin diferensial ctn bir tranzistorundan axması çn hansı diferensial giriş gYrginliyi zYruridir? (cavab: ).

d) Diferensial gclYndiricinin tam cYrYyanının 99%-nin diferensial ctn bir tranzistorundan axması çn hansı diferensial giriş gYrginliyi zYruridir? (cavab: ).