Radioelektronika asoslari

Ubc ⁼ fi(Ib’Uke) -kirish. h =A(^te, h) - chiqish VAX,
Birinchi xarakteristikada I_h erkin o‘ zgaruvchi kattalik (argumwit), Ufc - xarakteristikani belgilovchi kattalik hisoblanadi. Chiqish xarakteristikasida U_kt, - erkin o‘zgaruvchi (argument), I_h - xarakteristikani belgilovchi kattalik hisoblanadi. (25) ifodani /_h va t/_te erkin o‘zgaruvchilarbo‘yichadifferensia)labquyidagini hosil qilamiz:


dl_b dU_ke


dU


kc


(a)
(b)


(26)


&I_k dl_k , 3/^, &U _ki,
Bu tiatda kirish toki va chiqish kuchlanishi o'zgarishi traadgtiQitttng h - parattptrlari orqali ifodalanadi; . ’
* A//_ic =h_nAf_b + h_l2 AU^,(a)
&J_lt=h₂iU_l,+h₂₂£iU_t' ^ (b) W
Buyerda;
h_v _ AU^^const boMganda tianzistoming bMbh dlnamik
Mb ■ ; -i-U


^fhs


■ K'! -
. rV-

arshiligi', " ^ k
h_n = ~~ _ - const boMganda tranzistoming kuchlani.sk
bo 'yicha ichki teskari bog'lanish koeffiisiemv,
h_2i - lsU_ki ~ comt boMganda tranzistoming tokni to'g'ri
malish koeffitsienti ftokbo 'yicha kuchaytirish koeffitsienti);
hj₂ - AI_t = consl boMganda tranzistoming chiqish dinamik
o'lkazuvchanligi deyiiadi.
Shunday qilib, chiziqli ish rejimida tranzistor to‘itta h ^arametriar orqali aniqlanadi. Bu parametriar past chastotalar sohasida eksperimental
jihaldan oson o'Ichanadi. Sbuningdek ulami tranzistoming volt-amper xarakteristikalaridan ham aniqtasa bo‘ladi. 12-rasmda UE ulanish sxemasi uchun ft-parametrfomi hiaobCctsh metodikasi keftirilgan,
Chiqish VAX da nagruzka chizig'i (BC) chiziladi va unda koordinatasi I_kx, bo‘lgan ”A ” ishchi nuqta ko'rsatiladi (l2bHrasm). Bu nuqta orqali hi - baza tokiga mos chiqish xarakteristikasi o'tadi. Keyin bu ishchi nuqta kirish xarakteristikasiga o'tkaziladi va bunda uning koordinatasi Ailfo, U^i) bo'ladi (12-rasm). ^UA” nuqta tranzistoming o'zgarmas tok ho'yicha ish rejitnini belgilaydi.





Tranzistoming kirish xarakteristikasidan hj, va /i_!2 parametrlar aniqlanadi (!2a-rasm). Ishchi soha deb xarakteristikaning to‘g‘ri chiziqli qismi olinganligi uchun, koliektor kuchlanishtning deyarli o‘zganrtas qiymatlarida &I_hl - kirish toki va AU^ - kirish kuchlanishining o‘zgarishidan dinamik qarshilik hisoblanadi (12a-rasmdagi uchburchakll soha):
At/_ie 1
h]₂ - teskari bogTanish parameti esa /_Mr.- baza toki o‘zgarmas boTganda AU& - U_M - L^r_fe0 kollektor kuchlapishi farqiga mos ,
baza kuchlanishi o‘zgarishidan hisoblanadi:
Af/^₂ AlfcJ.
/j₂i va /»22 parametrJar yuqoridagi yondoshuvlar asosida tranzistoming _chiqish xarakteristikasidan topiladi (12b-rasm):
u A/_tl
A/» hi ~
a k u _ A/_t _ A/_ta
At/_fa At/_fa2"
Demak, /h-parametrlaming qiymati tranzistoming o'zgarmas tok bo‘yicha ish rejimiga, ulanish sxemasiga va signal chastotasi kabi katlaiiklarga bog‘Iiq. Signaining amplitudasi va chastotasi ortishi bilan A-parametrlami aniqlash va o‘lchash qiyinlasha boshlaydi, Chunki bu holda u kompleks ko‘rinishda hisoblanishi shart. Shuning uchun bunda tranzistoming bosbqa parametrlan hisobianadi.
Mashqlarni bajarish tartihi
Laboratoriya ishidagi mashqlami bajarish talabalar tomonidan ishning nazariy qismtda o‘rgaiiilgan elektr sxemalar asosida olib boriladi. Qaysi bir sxema bilan ish bajarishni o‘qituvch! belgitab beradi. Laboratoriya ishi universal maketda joriy qilingan bo‘lib, u yoki bu sxemani yig‘ish talaba tomonidan ko‘chma elemcntlami maketdagi uyalarga joylashtirish yuli bilan amalga oshiriladi. 0‘rganiiadigan sxemaga beriladigan o'zgarmas kuchlanish laboratoriya stendining pastki qismida jqylashgan kuchlanish inanbaidan (GN2 - 0-H 5 V), o‘zgarmas tok esa (GT - 0 ^:10 mA) deb belgilangan tok manbaidan olinadi. 0‘lchash ishlarida avometr (5 4317 markali testerjdan foydalaniladi.

50. 
    mashq. Umumiy emitterii sxema asosida ulangaii hipotyar tranzistoming kirish xarakterisikaiari otish va h_it va k_IT~ parametrlarni grafik usulda hisobiash
    

1. 
   13-rasmda keHirilgan ssema yig‘itsio.
   
2. 
   i.aboratoriya stendini ulab, so‘ngra V\ va V2 voltmetriar ulansin.
   
3. 
   Vi voftmetr orqah va V2 bilan L\_c kuchlanishlar o'matilsin.
   
4. 
   f/_ko-0 qiymati uchun Ubt ni 70 m Fdati 250 mFgacha o'zgartirib borib, mA\ mikroampermetrdan /t, ning qiymaVi yozib olinsin, 0‘lchash natijalari 1-jadvalgakiritilsin.
   
5. 
   Vvt tling bosftqa qiytnatiari uchun 4-bartddagi vazifalar qaytarilsin va oiingan natijaiar mos holda jadvafga kiritilsin.
   

J-jadvaL

Xs 1 "			U*=2V		u*^Tr		II 3
	i f	hftA	Us» V		u* V			4 uA 1
2								—J
3								J
4				—				i
								_J
r*
A								1

6. 
   /adval narijalari asosida C/j^onst bo‘igan hol uchun kirish xarakteristikasi chizilsin va A-parametrlami hisoblash metodifcasidan foydalanib differensiai kirish qarshiligi:
   

h_u -^r^- ³, -const bo'lganda
va kuch)a/iisb bo'yicha teskari bt>g‘liinish koeffitsienti aniqlansto: h_i7 -- A = /₆ - const bo'lganda.

2. 
   mashq. V mwmiy emitterti sxema asosida ulangan bipolyar traazistorn'tng o'tish (uzatish) xarakleristikasini olish va qtyafik lcoeffitsienti hantda A-parametrtarni asiqlash
   

1. 
   13-rasnida keltirifgan sxemayig‘iisin.
   
2. 
   Laboratoriya stenditii ulab, so‘ngra V\ va V2 voltmetrlar ulansin.
   
3. 
   V2 voltmetr orqali U_te doimiy kuchlanishni o‘matib, V\ voltmetr bilan U^ ni o‘zgartirib, mA2 da 7* o'lchansin.
   
4. 
   O
   5. JadvaJ natijalari asosida tranzistoming o‘tish xarakteristikasi = Wte) chizitsin.
   
   
   6. OrafiJcdan S_!aj -
   
   
   AU,
   
   
   - qiyalik koeffitsienti topilsin.
   
   
   hc
   
   Mchash natijalari 2-jadvalgajoylashtirilsin.
   

2-jadva}-

N5	W." 2V
	u6„ V	lh mA	u^ V j UmA	V* V	4 mA
1
2
Sai			|
Sna
§			j

7. 
   Tajriba natijalari asosida qiyaiik koefifitsienti nazariy jihatdali quyfdagieha hisoblansin va jadvalga kiritilsin;
   

=
kT

r

TT’^hv >^erda = — = 25.5 mV.
U„ e

8. 
   kirish qarshiligi va S qiyalik koeffitsienti qiymatlaridar) foydalanib. tranzistoming tok bo'yicha uzatish koeffitsienti h_X\~$ hisobiansin va jadvalga kiritilsin:
   

2. 
   m
   _r _ 3U_bc _ du_he _ (3 ^bt 5 l_b idijp) s
   
   ashq. limumiy emitterli svcma asosida ulangan bipolyar tranzistorning chiq/sh xarakteristikalarini ol/sft va /r-parafnetrlarni tajribada aniqiash
   

1.13-rasmdakekirilgan sxemayig'ilsin.

2. 
   Laboratoriya stendini u\ab, so‘ngra V\ va V2 voltmetrlar nlansin.
   
3. 
   mA\ mikmampermetr orqali /_b doimiy baza toki o‘matilsin. V2 voltmetr orqali Uy_e kuchlanishni o‘zgartirib, mA2 mikroampermetrda h o'lchanstn.
   
4. 
   0‘lchash natijalari 3-jadvaJga joylashtirilsin.
   

x
3-jadvai

hTs	A=20 uA		4=40 uA		4 = 60
	c/j*. v	4 mA	14, V	4 mA	£4P	4 mri
1
2
hn

5. iadva! natijalari asosida J₆ -consi boMgajida I_k =/((/**) chiqish



arakteristikasi chiziisin.

6. 
   0‘lchash natijalari asosida kollektor o'tishining differenstal chiqish
   

1
qarshiligt r_ke = —~ yoki chiqish o‘tkazuvchan!igi h₇₂ - — topilsin.
5J_k r^

6. 
   Chiqish xarakteristikasi orqali tok bo'yicha loichaytirish koeffitsienti hisobiansin:
   

^
A/t
2] ~ P ~~ ~.r
Hisoblangan kattaliklar 3-jadvalga kiritilsin.
Ba'zi tranzistoriarning parametrlari.

2-ibvtj.

/6	Farametr	Tranzistor turi
			RT36iA	jrntsff	XT816A	P4t6
I.	C„ nvt-kollektorning maksirrml doimiv toki	30	50	100	3000	25
2.	4imi„ nvl-kollektoming maksimal impuls toki	150	-		6000	120
3.	J -koileklor- emiUeming maksimal doimiy kuchlanishi	15	25	20	25	12
4.	T, ''C-taslvii muhit femperaturasi	150	35	25	100	25
5.	^jic-tok bo'yicha stalik uzatish koeffitsienti	20-40	20-90	50-350	25	20-80
6.	f MHz- tok bo‘yicha uzatish kocfhtsientining chegataviy chastotasi	1	250	250	3	40
7	fimu, mVt - tranzistoming maksimal uuwati	150	150	150	25000	100

3.