Muhammad-Al Xorazmiy nomidagi Toshkent Axborot Texnologiyalari Universiteti Qarshi filliali tt va kt fakulteti tt-11-21 guruhi 2-bosqich talabasi Soliyeva Dilobarning Elektromagnit Maydonlar va To’lqinlar fanidan 5-mustaqil ishi bajardi: G

Sodda simmetrik DK sxemasi

Mazkur sxema ko’priksimon tranzistor sxemaga aynan o’xshashligini kuzatish mumkin. Buning uchun R2 va R3 rezistorlarni VT1 va VT2 tranzistorlar bilan almashtirish va R1= RK1, R4= RK2 deb hisoblash kerak. Agar RK1va RK2qarshiliklar bir – biriga teng bo’lsa va VT1 tranzistor parametrlari VT2 niki bilan bir xil bo’ladi. Amaliyotda to’rtta ulanish sxemalardan ixtiyoriy biridan foydalanish mumkin: simmetrik kirish va chiqish, simmetrik kirish va nosimmetrik chiqish, nosimmetrik kirish va simmetrik chiqish, nosimmetrik kirish va chiqish. Simmetrik kirishda kirish signali manbai DK kirishlari orasiga ulanadi.

Shuni ta‘kidlash kerakki, DK kuchlanishlari qiymati (moduli bo’yicha) bir –biriga teng bo’lgan ikkita manbadan ta‘minlanadi. Ikki qutbli manbadan ta‘minlanish sokinlik rejimida umumiy shinagacha tranzistor baza potensiallarini kamaytirishga imkon beradi. Bu holat DK kirishlariga signallarni qo’shimcha sath siljitish qurilmalarini kiritmasdan uzatishga imkon yaratadi. Ikkala yelka ideal simmetrikligida kirish signallari mavjud bo’lmaganda (Ukir1=0, Ukir2 =0) kollektor toklari va tranzistorlarning kollektor potensiallari bir xil bo’ladilar,

Differensial kuchaytirgichning kuchaytirish koeffisienti kirish signallar generatorining ulanish va chiqish signalining o’lchanish usuliga bog’liq.DK kuchaytirish koeffisienti simmetrik kirishda ham, nosimmetrik kirishda ham bir xil bo’ladi.Nosimmetrik chiqishda yuklama qarshiligi bir uchi bilan bir tranzistor kollektoriga, ikkinchi uchi bilan esa – umumiy shinaga ulanadi. Bu vaqtda KU simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 martaga kichik bo’ladi.

Kichik kirish toklariga ega bo’lgan maydoniy tranzistorlar qo’llash natijasida differensial kuchaytirgich kirish qarshiligini sezilarli oshirish mumkin. Bu vaqtda p–n bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlarga katta e‘tibor qaratiladi. p–n bilan boshqariladigan, kanali n–turli maydoniy tranzistorlarda bajarilgan DK sxemasi 5.3 – rasmda keltirilgan. Barqaror tok generatori VT3 va RIda bajarilgan. RSIL1 va RSIL2 rezistorlari VT1 va VT2 tranzistor zatvorlariga boshlang’ich siljishni berish uchun mo’ljallangan.