Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may 2015-ci il
16
Nümunələr MOCVD üsulu ilə yetişdirilmişdir. Bu tədqiqatda (c-müstəvi) sapfir altlıq üzərində
(0001) kristalloqrafik istiqamətində yetişdirilmiş nümunələrdən istifadə edilmişdir. Alüminium, qallium,
indium və azot mənbəyi kimi uyğun olaraq trimetilalüminium (TMAl), trimetilqallium (TMGa),
trimetilindium (TMIn) və ammonyak (NH
3
), istifadə olunur. p-tip və n-tip aşqar
mənbələri kimi uyğun
olaraq Biscyclopentadienyl maqnizium (CP
2
Mg) və disilan (Si
2
H
6
) istifadə olunmuşdur.
Yetişmə prosesi zamanı əvvəlcə altlıq H
2
SO
4
:H
2
O
2
(3:1) məhlulunda 10 dəqiqə muddətində
təmizlənmişdir, sonra 2%-li HF məhlulunda oyulmuşdur və deionizə olunmuş suda yaxalandırılmış və
daha sonra N
2
mühitində qurudulmuşdur. Bu prosesdən sonra 1080
0
C temperaturda 10
dəq meddətində H
2
atmosferi altında təbii halda olan oksigeni kənar etməklə sapfir altlıqa termik təmizləmə prosesi tətbiq
edilmişdir. Termik təmizləmədən sonra 525
0
C-də təxminən 30 nm ölçülü GaN qoruyucu təbəqəsi
çökdürülmüşdür. Daha sonra temperaturu 1020
0
C-yə yüksəltməklə 1mkm qalınlıqlı Si-aşqarlı
n-tip
GaN
layı yetişdirilmişdir. Növbəti mərhələdə altlıqın temperaturu aşağı salınmışdır, 715
0
C-də InGaN layı və
840
0
C-də GaN barrier
layı yetişdirilmişdir. InGaN/GaN çoxqat kvant çuxurunun aktiv zonası 3 cüt 3
nm qalınlıqlı In
0.4
Ga
0.6
N laylarından və 10nm qalınlıqlı GaN
barrier laylarından ibarətdir. Aktiv zonanın
yetişdirilməsindən sonra 30 nm qalınlıqlı GaN örtük layı yetişdirilmişdir və altlıqın temperaturunu
727
0
C-yə yüksəltməklə 250 nm qalınlıqlı Mg-aşqarlı
p-tip GaN layı yetişdirilmişdir (şəkil 1).
Alınmış nümunədə p-tip GaN-ə p-elektrodu kimi 200 nm Au kontakt qoyulmuşdur. Digər tərəfdən,
n- tip GaN-ə Au (100 nm) n-elektrodu kimi daxil edilmişdir. Nümunənin strukturu sxematik olaraq
şəkil-2də göstərilmişdir.
Şəkil 1. Nümunənin strukturunun sxematik təsviri
Şəkil 2
Mavi LED Çipinin strukturu