Nə etmək lazımdır

Litoqrafiya. Altlığın səthində İS elementlərinin tələb edilən konfiqurasiyasının alınması prosesi (oymanı xatırladan) litoqrafiya adlanır. Litoqrafiyanın məğzi müxtəlif konfiqurasiyalı pəncərələri (deşikləri) olan maskalardan istifadə etməkdir. Bu prosesin əsasında kristalın və ya altlığın üzərinə fotorezist adlanan xüsusi polimer materialının hopdurulması durur. Fotorezist neqativ və pozitiv ola bilər. Neqativ fotorezistlər şüalanmanın (adətən ultrabənövşəyi və ya rentgen) təsiri altında polimerləşir və kimyəvi aşılamaya qarşı davamlı olurlar. Bu səbəbdən lokallaşmadan sonra kristalın və ya altlığın işıqlandırılmayan sahələri aşılanmaya məruz qalır. Pozitiv fotorezistlərdə şüalanma polimerin dağılmasına aparır, buna görə də sonrakı emalda aşılandırıcı ilə məhz işlandırılan sahələr kənarlaşdırılır.
Silisium lövhənin səthini örtən nazik oksid təbəqəsində pəncərələrin açılması prosesini nəzərdən keçirək. Əvvəlcə lövhənin üzərinə bir və ya bir neçə damcı pozitiv fotorezist (bərabər paylanmaq şərti ilə) tökülür və mərkəzdənqaçma qurğusunun köməyi ilə pərdə şəklində (1 mkm) lövhənin səthinə çəkilir və sonra qurudulur. Tünd təbəqə çəkilmiş (gələcək pəncərələrin yerində şəffaf deşikləri olan) şüşə lövhədən şablon şəklində maskanın şəkli çəkilir. Şablon fotorezistin səthinə qoyulur və şüalanmaya məruz qalır. Bir neçə əməliyyatdan sonra (adi fotoşəkillərdə olduğu kimi) fotorezit təbəqədə pəncərələr yaranır, təbəqə özü isə silisium lövhənin oksid qatına kip yapışan maskaya çevrilir. Tətbiq edilən aşındırıcının təsir etmdiyi bu maska vasitəsilə oksid qatı silisiuma qədər aşılandırılır. Sonrakı prosesdə fotorezist başqa aşındırıcının köməyi ilə silinir və biz oksid maskası ilə örtülmüş silisium lövhəni alırıq. Bu maskada pəncərələr vasitəsilə aşılandırmanı, aşqar vurmanı və ya başqa lazımi əməliyyatları həyata keçirmək olar.
Mikrosxemlərin istehsalında litoqrafiya prosesi dəfələrlə (10-15 dəfə və daha çox) istifadə edilir. Bu halda əsas problem fotoşablonların dəqiq uyğunlaşdırılmasıdır. Hal-hazırda bu məsələni öz-özünə uyğunlaşma üsulunun köməyi ilə həll edirlər. Bu metodun əsasında sonrakı mərhələlərdə formalaşdırılan elementlər üçün maskalar kimi litoqrafiyanın birinci mərhələlərində alınmış struktur elementlərdən istifadə prinsipi dayanır.
Ayırdetmə qabiliyyəti fotolitoqrafiyanın ən əhəmiyyətli parametri olub, 1 mm-də ayrı-ayrı təkrarlanan paralel xətlərin sayına görə qiymətləndirilir. Təbii ki, yalnız bu kəmiyyət İS-lərin istehsalı prosesində kristalda ayrı-ayrı strukturların və sahələrin minimal ölçülərinin formalaşdırılmasını müəyyən edir. Ayırdetmə qabiliyyəti litoqrafiya prosesində istifadə edilən şüanın difraksiyası ilə məhdudlaşdırılır və kiçik dalğa uzunluqlu şüanın tətbiqi ilə azaldıla bilər.
Skanedici elektron litoqrafiyada rezistlə örtülmüş səthin üzərində verilmiş proqram üzrə qoşulan elektron şüası hərəkət edir. Bu da altlığın strukturunda 0,1 mkm minimal diametrli strukturlar formalaşdırmağa imkan verir.