Microsoft Word qisa hesabat 2009. doc
Yüklə 451,32 Kb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI ŞÖBƏSİ
- STRUKTURLARIN TEXNOLOGIYASI, OPTIK VƏ ELEKTRIK XASSƏLƏRI
- BAKI – 2009 2 1. GİRİŞ
- 3. ELMI-TƏDQIQAT IŞLƏRININ ƏSAS ISTIQAMƏTLƏRI Problem
- 3.2. Günəş batareyalarının baza elementi olan Zn x (Cd 1-x ,S y )Sе
- 3.4 Amorf və monokristallik metal təbəqəli metal – yarımkeçirici kontaktla- rın emission və elektrofiziki parametrlərinin tədqiqi 1 mərhələ
- 4. DƏRC OLUNMUŞ ELMI IŞLƏRİN XARAKTERİSTİKASI
- 5. XARICI DÖVLƏTLƏRIN TƏHSIL VƏ ELMI MÜƏSSƏLƏRI ILƏ ƏLAQƏLƏR
- 6. ELMI-TƏDQIQAT IŞLƏRININ NƏTICƏLƏRININ TƏTBIQI
- İcracılar
- 9. ELMI-PEDAQOJI KADRLARIN HAZIRLANMASI
- 10. DISSERTASIYA MÜDAFIƏSI
- 11. 2010-cu İLDƏ HANSI AVADANLIQLARIN ALINMASINA EHTIYAC DUYULUR
- 12. ƏSAS NƏTICƏLƏR VƏ TƏKLIFLƏR.
- Beynəlxalq konfranslarda cap edilmiş tezislər
- Xaricdə cap edilmiş məqalələr
| AZƏRBAYCAN RESPUBLİKASI TƏHSİL NAZİRLİYİ BAKI DÖVLƏT UNİVERSİTETİ FİZİKA PROBLEMLƏRİ ELMİ-TƏDQİQAT İNSTİTUTU YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI ŞÖBƏSİ
ELEKTRONİKA ÜÇÜN PERSPEKTİVLİ OLAN MATERİAL VƏ STRUKTURLARIN ALINMASI VƏ TƏDQİQİ NANO- VƏ MIKROELEKTRONIKA ÜÇÜN PERSPEKTIVLI OLAN YARIMKEÇIRICI MATERIALLAR VƏ ONLARIN ƏSASINDA STRUKTURLARIN TEXNOLOGIYASI, OPTIK VƏ ELEKTRIK XASSƏLƏRI mövzusunda 2009-cı il üçün
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin müdiri f.r.e.d Rüstəmov F.Ə.
2
2009-cı ildə FP ETİ-nun Yarimkeçiricilər fizikası şöbəsində iş planına uyğun olaraq “Nano- və mikroelektronika üçün perspektivli olan yarımkeçirici materiallar və onların əsasında strukturların texnologiyası, optik və elektrik xassələri” mövzusunda elmi- tədqiqat işləri aparılmışdır. Hal-hazırda şöbədə 33 nəfər əməkdaş çalışır. Onlardan 5 nəfər əməkdaş fizika – riyaziyyat elmləri doktoru, 15 əməkdaş isə fizika – riyaziyyat elmləri namizədidir. Əməkdaşlardan 25 nəfəri tam ştat, 1 nəfəri 0.5 ştat vahidi, 7 nəfəri isə 0.5 ştat vahidi əvəzçiliklə çalışır. Elmi- tədqiqat işlərinin ən mühüm nəticələri respublika və xarici ölkələrin elmi mətbuatında dərc edilmişdir. Hesabat müddətində, yəni 2009-cı ildə, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları tərəfindən 46 elmi iş elmi mətbuatda dərc edilmişdir. Onlardan 6 məqalə xarici jurnallarda, 20 tezis beynəlxalq konfranslarda, 18 məqalə respublika jurnallarında, 2 tezis isə regional konfranslarda çap edilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsində 2009-cı ildə elmi seminar fəaliyyət göstərmişdir ki, burada əməkdaşların aldığı elmi nəticələr, elmi mətbuata təqdim olunan məqalə və tezislər və s. müzakirə olunmuşdur. Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları 2009-cı ildə AMEA –nın Fizika İnstitutu, Radiasiya Problemləri İnstitutu, Türkiyənin Orta Doğu Texniki Universiteti, Ankara Qazi Universiteti, BDU –nun Nanoaraşdırmalar Mərkəzi ilə elmi əməkdaşlıq etmişdir. Əməkdaşlardan 2 nəfər Universitetdaxili 50+50 qrantini almışdır. Şöbənin bir əməkdaşı namizədlik dissertasiyası müdafiə etmiş, 2 əməkdaş isə namizədlik dissertasiyasına rəhbərlik etmişdir. Hesabat ili dövründə şöbədə yeni tədqiqat obyekti olan məsaməli silisiumun alınması üçün zəruri olan texnoloji avadanlıqın sazlanması və alınma rejimlərinin müəyyənləşdirilməsi üzrə təcrübələr davam etdirilmişdir. Bu işdə mühəndislərdən H.O. Qafarova, Y.Y. Bobrova və laborant R.F. Həsənova yaxından iştirak etmişdir. 2009-cı ildə şöbədə olan avadanlıqın vəziyyəti analiz edilmiş, yararsiz olan avadanlıgin silinməsi üçün hazırlıq işləri görülmüşdür. Bu işdə mühəndislərdən S.E. Bağırova, N.N. Gocayev, laborant N.Ə. Muxtarov yaxından iştirak etmişlər.
3
1. Rüstəmov Fərhad Ərəstun oğlu şöbə müdiri f.r.e.d. 31.03.1957 2. Ağasıyev Arif Ayaz oğlu baş e.i. f.r.e.d. 16.09.1941 3. Cəfərov Maarif Əli oğlu apar.e.i. f.r.e.d. 20.03.1960 4. Lebedeva Nelya Nikolayevna apar.e.i. f.r.e.n. 22.10.1937 5. Dərvişov Namiq Hacıxəlil oğlu apar.e.i. f.r.e.n. 13.04.1952 6. Bağıyev Vidadi Ənvər oğlu apar.e.i. f.r.e.n. 03.06.1954 7. Quliyeva Tahirə Zeynal qızı böyük e.i. f.r.e.n. 14.04.1937 8. Əfəndiyeva İzzət Məmməd qızı böyük e.i. f.r.e.n. 10.09.1950 9. Axundov Çingiz Qəni oğlu böyük e.i. f.r.e.n. 14.12.1950 10. Nəsirov Elşən Fayaz oğlu böyük e.i. f.r.e.n. 05.07.1969 11. Orbux Vladimir İsakoviç e.i. f.r.e.n. 28.03.1949 12. Eyvazova Qönçə Malik qızı böyük e.i. f.r.e.n. 08.12.1951 13. Məmmədov Mübariz Zabid böyük e.i. f.r.e.n. 08.08.1959 14. Şərbətov Vaqif Xeyrulla oğlu e.i. f.r.e.n. 28.02.1957 15. Həsənov Məhəmməd Hidayət e.i.
16. Qocayeva Şöqiyə Mehdi qızı k.e.i.
05.08.1935 17. Abdullayeva Ləman Kamal qızı k.e.i.
05.05.1974 18. Bobrova Yevgeniya Yuryevna mühəndis
07.05.1960 19. Muradov Sənan Rəsul oğlu mühəndis
19.05.1972 20. Bağırova Samirə Eldar qızı mühəndis
08.03.1964 21. Qocayev Nizami Nağdəli oğlu mühəndis
10.11.1961 22. Mirzəliyeva Günay Şakir qızı mühəndis, analıq məz
29.12.1976 23. Qafarova Həcər Oktay qızı mühəndis
28.04.1968 24. Muxtarov Natiq Əlibala oğlu laborant
17.04.1970 25. Həsənova Rəna Səftər qızı laborant, analıq məz
29.10.1969 26. Həsənova Rəna Fazil qızı 0.5 şt. Laborant
21.05.1975 27. Muradov Əhliman Xanəli o. 0.5 şt. apar.e.i.(əvəz) f.r.e.d. 09.07.1947 28. Əsgərov Şahlar Qaçay oğlu 0.5 şt. apar.e.i.(əvəz) f.r.e.d. 15.06.1941 29. Qəribov Qeys İbrahim oğlu 0.5 şt. apar.e.i.(əvəz) f.r.e.n. 13.07.1940 30. Mehdiyev Rəşid Fərzəli oğlu 0.5 şt. apar.e.i.(əvəz) f.r.e.n. 10.02.1936 31. Ağayev Mustafa Nuhbala oğlu 0.5 şt.böyük e.i. (əvəz) f.r.e.n. 19.05.1950 32. Rzayev Rövnəq Mirzə oğlu 0.5 şt. k.e.i.(əvəz) f.r.e.n. 14.02.1970 33. Məmmədova Sevda Adil qızı 0.5 şt. k.e.i.(əvəz)
19.09.1968
4
Problem: Elektronika üçün perspektivli olan material və strukturlarin alinmasi və tədqiqi Mövzu: Nano- və mikroelektronika üçün perspektivli olan yarımkeçirici materiallar və onların əsasında strukturların texnologiyası, optik və elektrik xassələri 3.1. p-Si monokristallik lövhələrində lyuminessensiya qabiliyyətli makroməsaməli Si təbəqələrinin eletrokimyəvi aşılama metodu ilə alınma texnologiyasının işlənməsi və onların şüalanma spektrlərinin tədqiqi 1 mərhələ. Görünən oblastda lyuminessensiya verən və optik ölçmələr üçün yararli olan bircins makroməsaməli Si təbəqələrinin yüksəkomlu (111) orientasiyalı p-Si dan alınma texnologiyasının işlənməsi, onların morfologiyasinin və şüalanma spektrinin tədqiqi
İcraçılar: A.A.Ağasıyev, N.H.Dərvişov, M.Z.Məmmədov, Ç.Q.Axundov, V.X.Şərbətov, S.R.Muradov, N.N.Qocayev, H.O.Qafarova, S.E.Bağırova. Makroməsaməli silisium təbəqələri elektrokimyəvi anod aşılaması metodu ilə qalvanostatik rejimdə şaquli özəkdə hər iki tərəfi cilalanmıç (111) oriyentasiyalı, 10 Om sm müqavimətli, bor ilə aşqarlanmış 380 mkm qalınlıqlı monokristallik p-Si lovhələrində alınmışdır. Elektrokimyəvi aşılanmanı aparmaq üçün silisium lövhəsinin arxa tərəfinə termik buxarlandırma ilə Al təbəqəsi çökdürülmüş, və omik kontakt almaq üçün 450°S –də 40 dəqiqə ərzində tablama aparılmışdır. Aşılanma oblastının sahəsi 1 sm 2
məftili istifadə olunmuşdur. Aşılayıcı məhlul olaraq izopropil spirtində həll edilmiş plavik turşusu istifadə edilmişdir. Anodlaşdırma cərəyan şiddətinin sıxlığı 5-20 mА/sm 2
Göstərilən şəraitdə alınmış məsaməli silisum təbəqələrinin morfologiyasının tədqiqi həmin nümunələrin doğrudan da makroməsaməli olduğunu sübut edir. 10 mА/sm 2
təşkil edirdi. Məsamələrin ölşüsü (~1мкм) və onların paylanma sıxlığı cərəyan şiddətinin 2-20 mА/sm 2 qiymətlərində və 5 – 60 dəqiqə aəşlama müddətlərində sabit qalmışdır. Aşılamanın bu parametrləri yalnız alınan məsaməli silisiumun qalınlığına və keyfiyyətinə təsir göstərmişdir. Alınmış məsaməli silisium laylarının fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqi otaq temperaturunda, 370nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlandırdıqda aparılmışdır. Bütün alınmış nümunələr otaq temperaturunda adi gözlə görünən kifayət qədər intensiv qırmızı-bənövşəyi lyuminessensiya vermişdir. Yeni alınan nümunələrın spektrinin maksimumu 1.85 eV (670 nm), yarımeni isə 0.45 eV olmuşdur. Bu kifayət qədər enli spektrin qaussianlara ayrılması onun maksimumuları 1.52 eV (815 nm), 1.76 eV (704 nm), 1.9 eV (652 nm) və 2.05 eV (605 nm)-də yerləşən və intensivlikləri müxtəlif olan dörd müxtəlif şüalanmaların kombinasıyası olduğunu göstərmişdir. Nümunələrin laboratoriya şəraitində 4 ay müddətində saxlanılması spektrin həm intensivliyinin, həm də formasınin kifayət qədər stabil olduğunu müəyyən etmişdir. Lakin spektrin tərkib 5 hissələrinin nisbi intensivliyi müəyyən dəyişikliyə məruz qalır. Xarakterikdir ki, zaman keçdikcə spektrin yüksəkenerjili toplananının payı artır. Bu yüksəkenerjili toplanan azot temperaturunda özünü daha
aşkar biruzə
verir. Alınmış
nümunələrin fotolyuminessensiya spektrləri ilə yanaşı onlarış həyəcanlanma spektrləri də tədqiq olunmuşdur.
x (Cd 1-x ,S y )Sе 1-y nazik təbəqələrinin kimyəvi və elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınması, onlarin elektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin tədqiqi 1 mərhələ. Zn x (Cd 1-x ,S y )Sе 1-y
nazik təbəqələrinin kimyəvi və elektrokimyəvi üsulla alınması texnologiyasının işlənməsi, onların müxtəlif rejimlərdə və tərkiblərdə alinması.
R.M.Rzayev, S.A.Məmmədova Tədqiq olunan ZnS 1-x
Se x (0 x 0.6) və CdSe 1-y Te y (0 y 0.5) nazik təbəqələri sulu məhluldan kimyəvi və elektrokimyəvi çökdürülməsi üsulu ilə alınmış, onların bir sıra eıektron xassələri tədqiq olunmuşdur. Çökdürmə rejimindən, anion və kation əvəzetməsindən, eləcə də havada termik emal zamanı oksigenlə qarşılıqlı təsirdən asılı olaraq Cd 1-x
Zn x S, ZnS 1-x Se
x və CdSe 1-y Te
nazik təbəqələrində müşahidə olunan dəyişikliklərin analizi aparılmışdır. Reaksiyanın kimyəvi hərisliyini geniş intervalda dəyişmək üçün çökdürmə prosesi ilkin komponentlərin konsentrsiyasının çox kəskin fərqlənən qiymətlərində aparılmış, reaksiya parametrlərinin konsentrasiyasının məhluldakı hissəciklərin ölçülərinə təsiri öyrənilmişdir. PEQ (polietilenqlikol) – su qarşılığından ibarət məhlulda Cd 1-x Zn
S (0 x 0.6) bərk məhlulunun hissəcikləri alınmışdır. Aparılan tədqiqatlar göstərir ki, bu metod nanoölçülü təbəqələrin alınmasında, nanoölçülü invers təbəqə və ötürücü kanalın cərəyankeçmə mexanizminə təsiri məsələlərinin araşdırılmasında, eləcə də onların çıxış parametr və xarakteristikalarının nanoölçülü klaster və qoşulmalardan asılılığının öyrənilməsində böyük rol oynayır. Qeyd olunan texnologiya ilə alınan təbəqələrin və onların tərkibindəki zərrəciklərinin ölçülərinin kiçildilməsi istiqamətində tədqiqatlar aparılmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, nanoölçülü hissəciklərin alınması üçün istiofadə olunan molekulyar-şüa epitaksiyası, litoqrafiya kimi perspektivli metodlarla müqayisədə bu metod daha kiçik ölçülü sferik formalı yarımkeçirici nanokristallitlər almağa imkan verir. İşin praktiki əhəmiyyəti kimi göstərmək olar ki, ZnS 1-x
Se x və CdSe 1-y Te y nazik təbəqəli heterokeçidin sulu məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə metodu ilə alınma texnologiyasının incəlikləri araşdırılmışdır.Tədqiq olunmuş təbəqələr əsasında yaddaş elementləri, neqatron cihazlar, fotoqəbuledicilər, günəş batareyalarının baza elementləri, nanomateriallar və nanostrukturlar hazırlamaq olar.
6
nanostrukturun və polimerdəki nanokompozitlərin morfologiyasına, optik və elektrik xassələrinə təsirinin tədqiqi 1 mərhələ. Qaz boşalması plazmasının yarımkeçiricilərin səthindəki nanostrukturun morfologiyasına təsirinin tədqiqi. İcraçılar: N.N.Lebedyeva, V.İ.Orbux, Q.M.Eyvazova, Y.Y.Bobrova, Ə.X. Muradov
Tədqiqat obyekti kimi qallium arsen və təbii seolit təbəqələri götürülmüşdür. Seolitə maraq ondan irəli gəlir ki, onun quruluşu məsamələr və kanallardan ibarətdir ki, bu da öz növbəsində bir çox üzvi və qeyri-üzvi birləşmələrin və suyun molekul və ionlarının məsamələrə daxil olmasına imkan verir. Seolit təbəqəsinin özünün, həm də qaz boşalması özəyində seolit emitasiya elektrodu olduğu sistemin elektrik keçiriciliyi tədqiq olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, seolit təbəqələr qaz boşalması qurğularında istifadə edilə bilər. Elektrodu seolit olan təbəqə havasının təzyiqi idarə edilən kameraya yerləşdirilir. Kamerada havanın təzyiqindən asılı olaraq seolit təbəqəsınin volt-amper xarakteristikası ölçülmüşdür. Müşahidə edilmişdir ki, seolitin məsamələrində qazdakı ionlaşma nəticəsində elektronların emissiyası baş verir. Müyyən edilmişdir ki, belə təbəqənin müstəvi qaz boşalması özəyində katod kimi istifadə edilməsi qaz başalmasının alışma gərginliyini azaldır. 3.4 Amorf və monokristallik metal təbəqəli metal – yarımkeçirici kontaktla- rın emission və elektrofiziki parametrlərinin tədqiqi 1 mərhələ. Amorf metal təbəqəli Al 80 Ni 20 /nSi kontaktlarının emission parametrlərinin və monokristal metal metal təbəqəli Al-TiW-PtSi/nSi Şottki diodlarının induktivlik və dielektrik xassələrinin tədqiqi İcraçılar: İ.M.Əfəndiyeva, T.Z.Quliyeva, Ş.M.Qocayeva, M.H.Həsənov, L.K.Abdullayeva, Ş.H.Əsgərov, M.N.Agayev AlNi/n-Si Şottki diodlarinin volt-amper xarakteristikaları gərginlik və temperaturun geniş intervalda dəyişməsi şəraitində ölçülmüşdür. Tədqiq olunan diodların sahəsi (1-14)x10 -6 cm 2 intervalinda dəyişir. Potensial çəpər hündürlüyü bütün diodlar üçün müxtəlif metodlarla hesablanmışdırş. Qauss paylanmasi metudu tətbiq etmekle potensial çəpərin hündürlüyü və kənaraçıxma parametri müxtəlif sahəli diodlar üıün hesablanmışdlr. Alınan nəticələr əsasında electrofiziki parametrlər arasında korrelyasiya tədqiq edilmişdir. Riçardson sabitinin eksperimentdən alınan effektiv qiymətləri və termoelektron emissiya nəzəriyyəsi arasında olan korrelyasiya tədqiq edilmişdir. lnA və Ф в arasında asılılıq əsasında potensial çəpərin həqiqi qiyməti aşkar edilmişdir. Monokristal metal təbəqəli Al-TiW-PtSi/n-Si Şottki diodlarının induktivlik və dielektrik xassələri tədqiq edilmişdir. Polikristallik metal təbəqəli Şottki diodları üçün dielektrik aralığın effektiv qalınlığının hesablanmasi metodu işlənmiş, bu metodla Al-TiCu/n-Si diodlarının qalinlığı hesablanmışdır. Həmin diodlar üçün potensial çəpərin hündürlüyü müxtəlif metodlarla hesablanmiş, analiz edilmişdir. Monokristallik səthin, emitterin müəyyən bir orientasiyasında təyin olunmuş çıxış işinin və Riçardson sabitinin təcrübi qiymətlərinin statistik təhlili göstərdi ki, lnA n və Ф i
7 kəmiyyətləri arasında xətti asılılıq vardır. Bu asılılığa əsasən çıxış işinin həqiqi qiymətini tapmaq olar.
Hesabat müddətində, yəni 2009-cı ildə, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları tərəfindən 46 elmi iş elmi mətbuatda dərc edilmişdir. Onlardan 6 məqalə xarici jurnallarda, 20 tezis beynəlxalq konfranslarda, 18 məqalə respublika jurnallarında, 2 tezis isə regional konfranslarda çap edilmişdir. Məqalələrin siyahısı və sürəti əlavə olunur.
ƏLAQƏLƏR Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları 2009-cı ildə Türkiyənin Orta Doğu Texniki Universiteti və Ankara Qazi Universiteti ilə əməkdaşlığını davam etdirmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları tərəfindən 2009-cı ildə aşağıda qeyd olunmuş xaricdə keçirilmiş beynəlxalq konfranslara materiallar təqdim edilmiş və çap edilmişdir. SPİE: Optics + Photonics. 3-4 August, 2009, San Diego, California, USA XI Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, 25-29 may, 2009, Ульяновск, 2 nd
th Workshop Advanced Functional Characterization of Nanostructured Materials, february 23-25, 2009, Madrid, Spain, Final Workshop “Electroceramics from Nanopowders Produced by Innovative Methods”, Aveiro, Portugal, October 28-30, 2009 E-MRS Fall meeting 2009, Poland. 2009-cu ildə söbənin əməkdaşları tərəfindən fundamental elmlər sahəsindəki TWAS tədqiqat grantına 3 layihə təqdim olunmuşdur. Konkursun nəticələri 2010-cu il mart ayında məlum olacaqdır. Şöbənin iki əməkdaşı, N.H.Dərvişov və L.K.Abdullayeva (R-73 saylı 23.11.2009-cu il tarixli əmrə əsasən) Universitetdaxili 50+50 qrantını qazanmışdır. Hesabat müddətində, yəni 2009-cı ildə, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları tərəfindən xaricdə 6 məqalə çap edilmişdir, onlardan 3-ü C, 3-si isə D kateqoriyalı jurnallarda dərc edilmişdir. Məqalələrin siyahısı və sürəti əlavə olunur.
6.1. 2009-cu ildə AMEA-nın hesabatina daxil edilməsi üçün təqdim olunan mühüm elmi nəticələr. 1. Görünən oblastda lyuminessensiya verən və optik ölçmələr üçün yararli olan bircins makroməsaməli Si təbəqələrinin yüksəkomlu (111) orientasiyalı p-Si- dan
8 alınma texnologiyasının işlənməsi, onların morfologiyasinin və şüalanma spektrinin tədqiqi Böyük müqavimətli (40 Om.sm) p-Si lövhələrində məsaməli silisiumun oksidləşdiricinin çatışmazlığı rejimində kimyəvi aşılama metodu ilə alınma texnologiyası işlənmiş və onların fotolyuminessensiya spektri tədqiq edilmişdir.
Y.Y. Bobrova, H.O. Qafarova 2. Qaz boşalması plazmasının yarımkeçiricilərin səthindəki nanostrukturun morfologiyasına təsirinin tədqiqi. Təbii nanoməsaməli siolitin və siolit elektrodlu qaz boşalması sisteminin elektrik keçiriciliyi tədqiq olunmuş və onun kiçik enerji tutumlu qaz boşalması qurğularında istifadəsinin mümkünlüyü göstərilmişdir.
Seolit təbəqəsinin qaz boşalması özəyində seolit emitasiya elektrodu olduğu sistemin elektrik keçiriciliyi tədqiq edilmişdir və göstərilmişdir ki, seolit təbəqələr qaz boşalması qurğularında katod kimi istifadə edilə bilər ki, bu da qaz başalmasının alışma gərginliyini azaldır. İşın nəticəsi kimi məsaməli seolit katodlu emissiya qurğusuna ixtira almaq üçün hazırlıq və informasiya işləri görülür.
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsində “Elektronika üçün perspektivli olan material və strukturlarin alinma texnologiyası və tədqiqi” mövzusunda aylıq seminar fəaliyyət göstərir. Seminarın rəhbəri f.-r.e.d. F.Ə. Rüstəmovdur.
Yarımkeçiricilər fizikası şöbənin iki əməkdaşı - f.-r.e.d. A.A.Ağasıyev fizika fakultəsinin magistrləri üçün “Mürəkkəb heterokeçidlərin nəzəriyyəsi”, “Optik holografiya”, “Fotoelektronika” kursu üzrə, f.-r.e.d. M.Ə.Cəfərov isə “Bərk cisim elektronikası və
mikroelektronikanın fiziki əsasları” və “Yarımkeçiricilərin texnologiyası” kursu üzrə mühazirə dərsləri aparmışlar.
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin kiçik elmi işçisi Abdullayeva Ləman Kamal qızı fizika-riyaziyyat elmləri namizədlik dissertasiyasının müdafiəsi 25 dekabr 2009-cu ildə keçiriləcəkdir.
Yarimkeçiricilər fizikası şöbəsində aparılan elmi tədqiqat işlərinin daha da intensivləşdirilməsi üçün aşagıdakı reaktivlərin və avadanlığın alınmasına ehtiyac vardir.
9 Metalloqrafik mikroskop Altami MET variant 1M 5500 m Su deionizatoru Vodoley 1650 m Ultrasəs yuyucu vanna 100 m Spektrometr Perkin Elmer LS55 10000 m Foton Sayğacı Foton Counter SR400 6500 m İlkin gücləndirici Preamplifier SR445A 1500 m Optik modulyator Optical Chopper SR540 1500 m Yüksək gərginlik mənbəyi PS325 (2 ədəd) 3300 m
Silisium lövhələri 3", P/Boron, (111), 10 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m 3", P/Boron, (111), 2 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m 3", P/Boron, (100), 10 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m 3", P/Boron, (100), 2 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m 3", P/Boron, (111), 0.1 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m 3", P/Boron, (111), 0.01 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m 3", P/Boron, (100), 0.1 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m 3", P/Boron, (100), 0.01 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
plavik tirşusu Hydrofluoric acid, CAS 7664-39-3 5 l 440 m izopropil spirti 2-propanol, CAS 67-63-0 16 l 550 m n- pentan n-pentane, CAS 109-66-0 8 l 660 m aseton Aceton, CAS 67-64-1 8 l 200 m azot turşusu Nitric acid, CAS 7697-37-2 10 l 200 m sirkə turşusu Acetic acid, CAS 64-19-7 4 l 275 m xlorid turşusu Hydrochloric acid, CAS 7647-01-0 10 l 250 m hidrogen peroksid Hydrogen peroxide, CAS 7722-84-1 5 l 275 m sulfat turşusu Sulfuric acid, CAS 7664-93-9 5 l 500 m
Yarimkeçiricilər fizikası şöbəsində yüksək omlu p-Si monokristallik lövhələrində nano- və makroməsaməli Si təbəqələrinin elektrokimyəvi aşılama metodu ilə alınma texnologiyası tam mənimsənilmişdir. Bu gələcəkdə fotolyuminessent xassələrinin tədqiqi ilə yanaşı metal/məsaməli Si/monokristallik p-Si sistemlərinin hazırlanması və onlarda elektrik, diod və elektrolyuminessent xassələrinin tədqiqinə imkan verəcəkdir. Bundan başqa şöbədə nanoməsaməli silisiumun sırf kimyəvi aşılama metodu ilə alınma texnologiyasının işlənməsinə də başlanmışdır. Məsaməli silisium təbəqələri elektrokimyəvi anod aşılaması metodu ilə qalvanostatik rejimdə (111) oriyentasiyalı, 10 Om sm müqavimətli monokristallik p-Si lovhələrində alınmışdır. Alınmış məsaməli silisium laylarının fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqi
otaq temperaturunda, 370nm dalğa
uzunluğu ilə
10
həyəcanlandırdıqda aparılmışdır. Bütün alınmış nümunələr otaq temperaturunda adi gözlə görünən kifayət qədər intensiv qırmızı-bənövşəyi lyuminessensiya vermişdir. Yeni alınan nümunələrın spektrinin maksimumu 1.85 eV (670 nm), yarımeni isə 0.45 eV olmuşdur. Bu kifayət qədər enli spektrin qaussianlara ayrılması onun maksimumuları müxtəlid dalğa uzunluqlarında yerləşən və intensivlikləri müxtəlif olan dörd müxtəlif şüalanmaların kombinasıyası olduğunu göstərmişdir. Alınmış nümunələrin fotolyuminessensiya spektrləri ilə yanaşı onlarış həyəcanlanma spektrləri də tədqiq olunmuşdur. Məsaməli silisiumun işlənmiş texnologiyası gələcəkdə onların əsasında diodların, fotodiodların, elektrolyuminissent strukturların hazırlanmasında və tədqiq olunmasında istifadə ediləcəkdir. Tədqiq olunan ZnS 1-x Se
x (0 x 0.6) və CdSe 1-y Te
(0 y 0.5) nazik təbəqələri sulu məhluldan müxtəlif şəraitlərdə kimyəvi və elektrokimyəvi çökdürülməsi üsulu ilə alınmış, onların bir sıra eıektron xassələri tədqiq olunmuşdur. Polietilenqlikol – su qarışılığından ibarət məhlulda Cd 1-x Zn
S (0 x 0.6) bərk məhlulunun hissəcikləri alınmışdır. Aparılan tədqiqatlar göstərir ki, bu metod nanoölçülü təbəqələrin alınmasında, nanoölçülü invers təbəqə və ötürücü kanalın cərəyankeçmə mexanizminə təsiri məsələlərinin araşdırılmasında, eləcə də onların çıxış parametr və xarakteristikalarının nanoölçülü klaster və qoşulmalardan asılılığının öyrənilməsində böyük rol oynayır. Tədqiq olunmuş təbəqələr əsasında yaddaş elementləri, neqatron cihazlar, fotoqəbuledicilər, günəş batareyalarının baza elementləri, nanomateriallar və nanostrukturlar hazırlamaq olar. AlNi/n-Si Şottki diodlarinin volt-amper xarakteristikaları gərginlik və temperaturun geniş intervalda dəyişməsi şəraitində ölçülmüşdür. Alınan nəticələr əsasında elektrofiziki parametrlər arasında korrelyasiya tədqiq edilmişdir və potensial çəpərin həqiqi qiyməti təyin edilmişdir. Monokristal metal təbəqəli Al-TiW-PtSi/n-Si Şottki diodlarının induktivlik və dielektrik xassələri tədqiq edilmişdir. Polikristallik metal təbəqəli Şottki diodları üçün dielektrik aralığın effektiv qalınlığının hesablanmasi metodu işlənmiş, bu metodla diodlarının qalinlığı hesablanmışdır. Seolit təbəqəsinin özünün, həm də qaz boşalması özəyində seolit emitasiya elektrodu olduğu sistemin elektrik keçiriciliyi tədqiq edilmişdir. Göstərilmişdir ki, seolit təbəqələr qaz boşalması qurğularında katod kimi istifadə edilə bilər ki, bu da qaz başalmasının alışma gərginliyini azaldır. İşın nəticəsi kimi məsaməli seolit katodlu emissiya qurğusuna ixtira almaq üçün hazırlıq işləri görülür.
11
Əlavə 1 Respublikada cap edilmiş məqalələr 1. Рустамов Ф.А. М.З. Мамедов, Н.Х. Дарвишов, С.Р. Мурадов, Е.Ю.Боброва. Получение и фотолюминесценция макропористого кремния p-типа. AMEA, Xəbərlər. 2009, c.XXIX, № 5, c.132-135 2. A.A. Agasiev, E.M. Magerramov, J.H. Jabbarov, M.Z. Mamedov, N.N. Godjaev. Influence of interatomic distance change on linear dimensions of solid state. AMEA, Fizika, cild XV, №1, 2009, səh. 68-69. 3. А.А.Агасиев, Ч.Г. Axundov, Б.Г.Саламова, М.З.Мамедов, В.Дж.Мамедов. Морфологические изменения островковых пленок 3
S r . AMEA Xəbərlər. Fizika- riyaziyyat və texnika elmləri seriyası, fizika və astronomiya. cild XXIХ, №2, s.79-81, Bakı, 2009. 4. А.А.Аğasıyev, Ç.Q. Axundov, M.Z.Məmmədov, V.Х.Şərbətov. E.M. Məhərrəmov. Корпускулярная структура адсорбентов-гелей. SDU. Xəbərlər. Təbiət və texnika elmləri bölməsi, cild 8, №3, 2008, səh. 15-18 5. Н.Н.Лебедева, В.И.Орбух, T.З.Кулиева, Ч.Ф.Султанов, «Стационарный газовый разряд в порах цеолита» AMEA Xəbərlər, сild XXIX, 5, 2009, 162-165. 6. Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев, И.Г.Пашаев, М.Г.Гасанов Применение аморфного металлического сплава при изготовлении надежных кремниевых диодов Шоттки и солнечных элементов. “Bakı Universitetinin xəbərləri”, №1, 2009, səh. 145-152. 7. Мурадов А. Х. «Контакт высокоомного полупроводникового зонда с плазмой положительного столба разряда в неоне». «Проблемы энергетики», 2009 г., № 1, стр. 59-63, 8. Э.М. Годжаев, Ш.М. Гусейнова (Годжаева), З.Н. Мамедов, И.Г. Исмаилов. Особенности и перспективы технического применения тройных анадогов TlSe. Fizika – Texnika (ATU), 2009, №2, cild VIII(30), s. 3-5 9. Масимов Е.А., Мамедов Н.А., Давудов Б.Б., Дашдемиров К.М., Гарибов Г.И., Садыхзаде Г.М., Джабаров Дж.Н., Алекберов Ш.Ш. Физико-химические процессы в разрядных промежутках озонаторов. Energetikanın problemləri, № 2, 2009, s. 74-83. 10. А.А.Агасиев, Ç.Q. Axundov, Б.Г.Саламова, M.З.Мамедов, В.Дж.Мамедов. Особенности формирования сегнетоэлектрических пленок 3
. Аз. Республика Национал. Ак. Наук Национальная Ак. Авиации. Труды международная Конференции «Научно-технический прогресс и современная Авиация» посв. 75- летию академика А.М.Пашаева. Том I, с.189-192. 12-14 февраля, Баку, 2009 г. 11. И.М.Эфендиева. Определение эффективной толщины зазора КМП с поликристаллическим металлическим слоем. Труды
Международной Конференции ."Научно-технический Прогресс и современная Авиация " посвящ.75 летию акад.А.М.Пашаева ,т.1, с.311-312. Баку, 2009. 12. Н.Н. Лебедева, В.И. Орбух, Г.М. Эйвазова, Ч.Г. Ахундов, Т. З. Кулиева, Ч.А. Султанов. Использование природного цеолита как эмитирующего катода в
12
газоразрядных устройствах. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.36-37. 13. İ.M. Əfəndieva, L.K. Abdullaeva, T.Z. Quliyeva, Ş.M. Qocayeva, M.N. Ağayev, Ş.S. Süleymanov. Amorf xəlitəli Al 0.8 Ni
-n-Si diodlarının elektrofiziki parametrləri arasında korrelyasiyanın tədqiqi. . BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.34-36. 14. А.А. Агасиев, Ч.Г. Ахундов, М.З. Мамедов, М.М. Панахов, С.Н. Сармасов. Эпитаксиальные пленки PbTe/Bi. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.22-24. 15. В.Э. Багиев, М.А. Зарбалиев, Дарвишов Н. Г. Аномальная дисперсия коэффициента отражения TlGaSe 2 в области примесного поглощения. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.52-55. 16. М.А.Джафаров, Р.Ф.Мехтиев, С.А.Мамедова, Э.Ф.Насиров, Р.М. Рзаев. Получение и исследование свойств структур Si-CdZnS. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.199-200. 17. М.А.Джафаров, Т.О. Багиров Э.Ф.Насиров. Получение соединений CdZnS в растворе, содержаший полиэтиленьгликоль. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh. 197-199. 18. Q.İ. Qəribov. Uzununa maqnit sahəsində yerləşdirilmiş qaz boşalması plazması rəqslərinin tədqiqi. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.106-107
13
Əlavə 2
Regional konfranslarda cap edilmiş tezislər 1. Məmmədova S.A. CdSe 1-x Te
nazik təbəqələrində fotokimyəvi reaksiyalar. BDU-nun 90 illiyinə həsr olunmuş Gənc tədqiqatçıların “Fizika və astronomiya problemləri” Respublika elmi konfransının materialları. Bakı, 16 may, 2009, s. 46. 2. Məmmədova. С.A. Фотоутомляемость в пленках CdSeTe, осажденных из раствора. Aspirantların və gənc tədqiqatçıların XIII Respublika elmi konfransının materialları, Bakı, 6-7 mart, 2009, səh.7
14
Əlavə 3 Beynəlxalq konfranslarda cap edilmiş tezislər 1. Elshan F. Nasirov, Maarif A. Jafarov. Synthesis of the CdS nanoparticles from lowtemperature solution. S.34, 2-6 August, Proceedings of SPIE, 3 -4 August, 2009, San Diego, California, USA 2. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мехтиев Р.Ф. Электроосаждение наноразмер- ных пленок ZnS 1-х Se
XI Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.76, Ульяновск, 25-29 мая 2009 г. 3. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф. Получение и исследование свойств наноразмерных композитных Материалов на основе сульфидов и селенидов. XI Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.92, Ульяновск, 25-29 мая 2009 г. 4. Muradov M.B., Eyvazova Q.M., Akhmedov I.D., Huseynova N.V. Development of technology of nanocompozition formation on the basis of nanostructured calcogenide semiconductors and silicon dioxide. 2 nd Training School and 6 th Workshop Advanced Functional Characterization of Nanostructured Materials, february 23-25, 2009, Madrid, Spain, p.48-49 5. Eyvazova Q.M., Muradov M.B., Maharramov A.M. Influence of quantum confinement and structure of nanomaterials on the effective mass of charge carriers. Final Workshop “Electroceramics from Nanopowders Produced by Innovative Methods”, Aveiro, Portugal, October 28-30, 2009 6. Mustafa B. Muradov, Goncha M. Eyvazova. Featurs of electric properties of nanocomposites on the basis of copper sulfide and polyvinyl alcohol. E-MRS Fall meeting 2009, Poland. P.1 7. Mustafa B. Muradov, Goncha M. Eyvazova, Abel M. Maharramov. Process of transformation nanoparticles cadmium of sulfide on copper of sulfide by the ionic exchange. E-MRS Fall meeting 2009, Poland. P.2 8. Рустамов Ф.А. Н.Г. Дарвишов, Е.Ю. Боброва, Х. О. Гафарова. Люминесценция пористого кремния полученного химическим травлением в высоокоомном Si p- типа. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elni Konfrans, 2009, 30- 31 oktyabr, s. 248-249 9. Рустамов Ф.А. М.З. Мамедов, Н.Г. Дарвишов. Особенности формирования пористого кремния в высокоомном p-Si ориентации (111) в растворе HF- изопропиловый спирт. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elni Konfrans, 2009, 30-31 oktyabr, s. 262-263 10. А.А.Аğasıyev, Ç.Q. Axundov, M.Z.Məmmədov, V.Х.Şərbətov, H.О.Qafarova. Квантовые кристаллы, BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi- Texniki konf. materialları, Bakı. 239-240, 2009, 30-31 oktyabr 11. Н.Н.Лебедева, В.И.Орбух, Е.Ю.Боброва,» Автоэлектронная эмиссия на границе нанопористого природного цеолита с металлом. BDU-nun 90 illik
15
yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi-Texniki konf. Materialları. 30-31 оktyabr. Bakı с.237-238 12. Т.З.Кулиева, Э.А.Агаева, Н.Р..Султанова, Влияние конфрмаций на химическиe cдвиги в спектрах ЯМР в полиметиленовых циклических органических соединениях. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi-Texniki konf. materialları, Bakı 30-31 oktyabr, 2009, s. 174 - 175 13. Э.А.Агаева. Т.З.Кулиева, Р.М.Салимов, С.Р.Мирзабекова, Корреляция протонных химических сдвигов метильных групп с электроотрицательностью заместителей.. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi-Texniki konf. materialları, Bakı 30-31 oktyabr, 2009, s. 177 - 178 14. İ.M.Əfəndiyeva, L.K.Abdullayeva, Ş.M.Qocayeva, M.H.Həsənov. Al 0.8
Ni 0.2
/n-Si diodlarında potensial cəpərin hündürlüyünün müxtəlif üsullarla hesablanması. –BDU- nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq konfransın materialları, səh. 240-241, 30-31 oktyabr, 2009. 15. В.Э. Багиев, М.А. Зарбалиев, В.Х. Шарбатов. Оптические переходы в TlGaSe 2 . BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlхalq Elni Konfrans, Bakı, 30-31 oktyabr 2009, c. 225-227 16. М.А.Джафаров, Р.Ф.Мехтиев, С.А.Мамедова, Э.Ф.Насиров. Оптоэлектронные свойства наноразмерных пленок CdSe 0,8 Te
для солнечных элементов. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş beynəlxalq elmi konfransının materialları, 2009, Bakı, səh.271-272. 17. И.Г.Пашаев, М.Г.Гасанов Р.Ф.Мехтиев М.Н.Агаев, Влияние термоотжига на свойства избыточного тока для диодов Шоттки. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfrans, 30-31 oktyabr, 2009-cu il, səh. 227-228. 18. Ş.Q.Əsgərov, İ.Q.Paşayev, M.H.Həsənov Amorf və polikristal materiallar əsasında hazırlanmış Şottki diodlarının parametrləri arasında korrelyasiya. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfrans, 30-31 oktyabr, 2009-cu il, səh. 223-225. 19. Мурадов А. Х. «Измерение производных характеристик полупроводникового зонда, помещенного в неоновую газоразрядную плазму». BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfrans, 30-31 oktyabr, 2009-cu il, səh. 251 - 253.
20. И.М. Эфендиева, Ш.Г. Аскеров, Л.К. Абдуллаева, Ш.М. Годжаева, Т.З. Кулиева. Высота потенциального барера диода Шоттки Al-Ni/n-Si с аморфным металлическим сплавом. Application of information and communication technologies 3 IEEE International conference, Baku, 14-16 Oktober, 2009
16
Əlavə 4 Xaricdə cap edilmiş məqalələr
1. U.Aydemir, Y.Safaq, Ş. Altındal, A.A. Ağasıyev. Frequency dependent electrical characteristics of metal- ferroelectric- semiconductor (Au/SrTiO 3 /n-Si) structures. J.of Optoelectronics and advanced materials-simposia, v.1, n3, 2009, p.258-261. 2. А.А.Агасиев, М.М.Панахов, С.Н.Сармасов. Влияние сегнетоэлектрической подложки на проводимость полупроводниковой пленки. Физика и техника полупроводников. 2009, т.43, в.2, стр. 201-203 3. А.А.Агасиев, Э.М. Магеррамов, Дж.Г. Джаббаров, М.З. Мамедов. Тепловое расширение твердого тела. Нано- и микросистемная техника, №2(103), 2009, стр. 21-22. 4.
В.И.Орбух, Н.Н.Лебедева, Б.Г.Саламов, «Влияние поверхностной проводимости полупроводникового электрода на распределение газоразрядного тока», ФТП, 43, 10, 2009, 1329-1332 5. Eyvazova Q.M., Muradov M.B., Abdinov A.Sh., Hajimamedov R.H. Dielectric Properties of Nanocomposites on the Basis of Copper Sulfide Nanoparticles and a Polymer Matrix. Surface Engineering and Applied Electrochemistry, V. 45, No 2, 2009, pp. 167-170 6. А.Ш. Абдинов, Ш.А. Аллахвердиев, Р.Ф. Бабаева, Р.М. Рзаев. Проводимость высокоомных чистых и легированных РЗЭ кристаллов GaSe. Неорганические материалы. Т. 45, № 7, 2009, с. 785-789. Yüklə 451,32 Kb. Dostları ilə paylaş:
|