Bajardi: Avazov Jamoliddin

6-amaliy ish
Yo’nalish: Raqamli Iqtisodiyot 002
Bajardi: Avazov Jamoliddin
Tekshirdi: Maxliyo To’rayeva
Variant:3

ishlab chiqilgan. Kristall bir vaqtning o'zida to'rtta bitning qiymatlarini o'qiydi va ularni to'rtta

1 Mbit DRAM mikrosxemalaridan boshlab, aksariyat DRAMlar ushbu rejimlarning

istalganiga imkon beradi va rejim tegishli ulanishlarni tanlab chipni paketga o'rnatish

bosqichida tanlanadi. Ushbu operatsiyalar DRAM uchun xotira tsikli vaqtining ta'rifini

o'zgartirdi. Shakl. 7.4 an'anaviy tsikl vaqtini va optimallashtirilgan rejimdagi qo'ng'iroqlar

orasidagi maksimal tezlikni ko'rsatadi.

Ushbu optimallashtirishning afzalligi shundaki, u ichki DRAM sxemalariga asoslangan va

tizim narxini biroz oshirib, xotira o'tkazuvchanligini deyarli to'rt baravar oshirishga imkon

beradi. Masalan, nibblemode xotira qatlamiga o'xshash rejimlarni qo'llab-quvvatlash uchun

har safar ustun manzili strobini almashtirish zarur emas.

optimallashtirilgan tsikl uchun beradi. Agar avtobusni uzatish vaqti optimallashtirilgan tsikl

vaqtidan oshmasa, to'rt qavatli tabaqalashtirish bilan xotirani tashkil qilishning yagona

murakkabligi bu biroz murakkab soatni boshqarish davri. Sahifalar rejimi va statik ustunlar

rejimidan ham foydalanish mumkin, bu esa yanada murakkab boshqaruv elementlari bilan

qatlamlanishning yanada yuqori darajasini ta'minlaydi. DRAM dizaynidagi tendentsiyalardan

biri bu uch holatli buferlarning mavjudligi. Bu shuni ko'rsatadiki, ko'p sonli xotira chiplari bilan

an'anaviy qatlamlashni amalga oshirish uchun tizim har bir xotira banki uchun bufer chiplarini

taqdim etishi kerak.

boshqalar. Ishlashni oshirish uchun barcha zamonaviy xotira chiplari qo'shimcha qatorga kirish